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バインダー・被膜から活物質まで、サンプル本来の状態のまま評価可能！
弊団では、二次電池正極の結合状態評価を行っております。 表面状態を分析する手法の一つであるXPSは、検出深さが浅い(～10nm) こと から、バインダーや導電助剤等の評価に好適。 HAXPESは硬X線(Ga線)励起で検出深さが深いため、バインダー等に埋もれた 活物質の情報をダメージレスに得ることが出来ます。 【測定法・加工法】 ■[XPS]X線光電子分光法 ■[HAXPES]硬X線光電子分光法 ■雰囲気制御下での処理 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
"A window to the bulk" 、"ビームタイムをお手元に"
硬X線を励起源とするラボタイプの光電子分光システムです 硬X線光電子分光法(HArd X-ray PhotoElectron Spectroscopy : HAXPES)は、 多くの放射光施設が既に導入している、次世代の光電子分光(XPS)の一つです。ビームラインより、膜の下地や埋もれた界面、通常のXPSでは届かない深い内殻軌道の情報が得られる手法として注目されています。従来では放射光施設でのみ測定出来たこの手法をお手元のラボにこのシステムを置くことで、表面の情報だけではなく、バルクの情報も得られる次世代の光電子分光測定が可能となります。
「誰もが、簡単に、直ぐに使えること」
日本電子株式会社 JPS-9030 光電子分光装置(XPS)は、日本語環境で操作できる新設計のユーザーインターフェースを採用し、「誰もが、簡単に、直ぐに使えること」を実現しました。また、カウフマン型エッチングイオンソースやツインアノードを標準装備の上、汎用XPSでありながら高温加熱システムやガスクラスターイオンソース等幅広い拡張性も備えています。 〇特長 ・nmからμmまで幅広い目的に対応したデプスプロファイル (深さ方向分析) が可能 ・使いやすさを追求した新開発ソフトウェア ・ハイエンド機に匹敵する超高感度 ・豊富なオプション ※詳細はPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Si基板上のSiO2表面酸化膜について、光電子分光から酸化膜厚を算出！
酸化膜の形成プロセスにおいて、酸化膜厚の制御は非常に重要な項目の1つです。 そこで、光電子分光を用いて表面酸化膜の膜厚を非破壊で見積りました。 表面が薄い酸化膜で覆われているような試料の場合、多くの元素の光電子ピークは 酸化物成分と基板成分に対応して2つのピーク構造を示します。各成分のスペクトル 強度を測定することによって酸化膜の膜厚を見積ることができます。 非破壊にて膜厚を求める分析手法はいくつかありますが、他の手法に比べ、 特定箇所の膜厚の見積りが可能であるところが、この手法の特長です。 ※記事の詳細内容は、添付のPDF資料より閲覧いただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
