【研磨加工素材】化合物材料 研磨加工
弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。
化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用いられるSiC単結晶や、高記録密度を実現させる為のレーザーダイオードや 高電子移動度トランジスター(HEMT)などに用いられているGaN単結晶の超平滑研磨加工及び、 パターン形成済みの裏面側を加工し薄くする事も行っています。 【加工詳細】 ■加工素材 ・SiC ・GaN ・GaP ・GaAs ・GaSb ・ZnS ・ZnSe ・ZnTe ・パターン付きウェーハの裏面加工など ■仕上がり厚み：20μm～ ■表面粗さの実力値：GaP表面粗さ：0.1nm ※詳しくは資料をダウンロードいただくか、お問い合わせください。
- 企業：日本エクシード株式会社
- 価格：応相談
