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SEMとEBSDによって磁石の方位分布がわかり、製品の性能や経年による変化などを把握できます。
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで材料の結晶方位分布を把握できます 本事例では「サマリウムコバルト磁石のEBSD 測定」を紹介しています この技術を各種磁石の性能評価、性能向上に役立てているお客様が多数いらっしゃいます ぜひPDF資料をご覧ください なお、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析なども行っており多面的に解析分析を行っております 営業だけでなく技術者も直接対応しますので、お気軽にご相談いただければ幸いです セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
EBSDで金属組織の形状変化確認と内部歪み測定を行うことで板バネ、ひげぜんまい等の曲げ加工が適切かを判断できます
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ・断面形成後の結晶方位解析 ・金属組織の形状変化と内部歪み分布の確認 本事例では EBSDによる「線材の内部歪み測定」を紹介しています この測定技術は、板バネ、ひげぜんまい等の曲げ加工が適切か、加工条件決めに役立ちます ぜひお試しください なお、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析なども行っており多面的に解析分析を行えます 営業だけでなく技術者も直接対応しますので、お気軽にご相談いただければ幸いです セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
EBSDで金属組織を観察することで材料選定や材料変更の検討がスムーズに行えます
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ・結晶系の異なる相の分離 ・分離相ごとに分布割合や結晶方位解析 本事例では EBSDによる「線材(ばね材)の金属組織観察」を紹介しています ばね材の加工工程（伸線Φ1.00mm、0.07mm）における金属組織変化を調査して、伸線後に金属組織が変化している様子を確認できました この測定技術は、金属材料選定や材料変更時の比較に大いに役立ちます ぜひお試しください なお、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析なども行っており多面的に解析分析を行えます 営業だけでなく技術者も直接対応しますので、お気軽にご相談いただければ幸いです セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
電子線後方散乱回折法EBSDはアルミスパッタ膜の性能評価や下地材料の選定に役立ちます
電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ●微小領域の結晶粒の形状および方位の測定 ●基準方位に対する結晶の配向の確認 ●結晶方位差の情報から材料内部の歪の測定 本事例では 「EBSD を用いたアルミスパッタ膜の 評価」を紹介しています この測定技術は、アルミスパッタ膜の性能評価、下地選択に役立ちます 磁石の方位評価や結晶性があればセラミック材料にも応用可能です ぜひお試しください なお、弊社ではEBSDとSEMに加え、TEMによる各種断面解析、XPSによる表面分析なども行っており多面的に解析分析を行えます 営業だけでなく技術者も直接対応しますので、お気軽にご相談いただければ幸いです セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/
![[EBSD]電子後方散乱回折法](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/bef/387108007/IPROS4688397342881936146.jpg?w=280&h=280)
容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能
EBSDを利用して結晶性試料の方位解析ができる手法です。 電子回折法より容易にかつ広い領域の結晶情報を得ることができます。 EBSP：Electron Backscatter Pattern、SEM-OIM、OIMとも呼ばれます。 ・単一結晶粒の面方位の測定が可能 ・測定領域の配向測定が可能 ・結晶粒径観察が可能 ・双晶粒界（対応粒界）観察が可能 ・特定結晶方位の抽出が可能 ・隣接結晶粒の回転角の測定が可能 ・透過法により10nm以上のグレインを評価可能
試料表面で生じる電子線後方散乱回析により金属など結晶性材料の結晶方位・粒径・歪み分布などに関する情報を取得することが出来ます。
EBSD分析とは、SEM（走査電子顕微鏡）と組み合わせて、金属結晶粒子の方位、微粒子化を解析する事で、問題点を顕在化させ、 設計・プロセス・材料の改善や、品質トラブルの未然防止に役立てることが出来ます。 また、 信頼性試験と組み合わせることにより、評価初期段階での歪み発生箇所の解明、破壊メカニズムの解明などに役立ちます。 【マッピングの例】 ■IQマップ パターンの良否により結晶性の良し悪しを表します。 IQ値は試料断面加工の精度良否の指標として用いられます。 ■IPF（結晶方位）マップ 試料座標系を設定し、結晶面がその方向に向いているかを表したものです。 ■Grainマップ 基準方位差を指定し、隣り合う測定点同士の方位差が基準より大きく、粒子として閉じていれば、 異なる結晶粒とみなし、異なる色を付けます。 ■KAMマップ 微視的方位変化、局所方位差を表します。 ■GRODマップ Grainマップで定義された粒子1つ1つに対し、微小な方位変化を求め、 印加されている残留応力を粒子毎に求める場合に用いります。 ※詳細は下記までお問い合わせください。
