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ウエハサイズ 後工程 投影露光装置 MRS 標準光源としてUV-LED光源を採用（生産性を落さずランニングコスト削減が可能！）
■ ８インチ以下は「一括露光方式」、 12インチは「ステップ＆リピート露光方式」の選択が可能 ■ 露光エリアが広い為、高生産性を実現 ■ 焦点深度が深い為、MEMS、RFフィルター業界に多数の 実績あり ■ TAIKOウエハにも対応 ■ グローバルアライメント方式 ■ 高剛性フレームにより、高精度アライメント露光が実現 ■ フォーカスマップ機構標準装備
微細なパターンを半導体基板上に形成するために使用される技術。
投影露光は、半導体製造プロセスにおいて、微細なパターンを半導体基板上に 形成するために使用される技術の一つです。 半導体基板上にUV(紫外線)光を照射することで、フォトレジストと 呼ばれる光に敏感な材料にパターンを形成します。 フォトレジストは、UV光を当てると化学反応が起こり、露光した箇所が 溶解したり、硬化したりします。その後、露光された箇所をエッチングなどの プロセスで取り除き、残った部分には微細なパターンが形成されます。 【特長】 ■光に敏感な材料にパターンを形成する ■ステッパーが使用される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
