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構造解析レポート - 企業2社の製品一覧

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Samsung　３D V-NAND 構造解析レポート

Samsung　３D V-NAND 構造解析レポート

Samsung　３D V-NANDの構造解析レポートです。

This report is a Memory Detailed Structural Analysis (MDSA) of the K9HQGY8S5M 3D V-NAND flash memory. The K9HQGY8S5M is the industry’s first implementation of a 32 cell vertical NAND memory and marks the departure from conventional planar flash memories. 【特徴】 ○Understand key design and manufacturing innovations ○Make informed technical resource investment decisions ○Find Evidence of Use 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

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Navitas GaN Power IC構造解析レポート

Navitas GaN Power IC構造解析レポート

製造プロセスフロー概要およびGaNトランジスタ、抵抗と静電容量の構造を明確にします

当社では、『Navitas GaN Power IC(NV6117&NV6115)構造解析レポート』を ご提供しております。 NV6117とNV6115の低耐圧トランジスタ、抵抗素子、静電容量素子および GaNエピ層の構造は、同構造と推測されるため、サンプルを使い分けて 解析しています。 【レポート内容】 ■600V GaN製品の比較(NAVITAS、GaN Systems、Panasonic) ■PKG観察、X線観察、チップ観察 ■チップ平面観察 ■高耐圧/低耐圧GaNトランジスタ、抵抗素子、静電容量素子の断面SEM解析 ■GaNエピ層TEM-EDX材料分析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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