Samsung ３D V-NANDの構造解析レポートです。
This report is a Memory Detailed Structural Analysis (MDSA) of the K9HQGY8S5M 3D V-NAND flash memory. The K9HQGY8S5M is the industry’s first implementation of a 32 cell vertical NAND memory and marks the departure from conventional planar flash memories. 【特徴】 ○Understand key design and manufacturing innovations ○Make informed technical resource investment decisions ○Find Evidence of Use 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
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【目次】 ○Executive Summary ○Device Summary ○Process Summary ○1.0 Package and die overview ○2.0 Substrate and Isolation analysis ○3.0 Representative Transistors ○4.0 Metals and Dielectrics ○5.0 Contacts and Vias ○6.0 High Voltage Transistor ○7.0 Flash Cell Analysis ○8.0 Materials Analysis ○9.0 Horizontal dimensions for array and periphery ○10.0 Vertical dimensions ○11.0 Major Findings ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。
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『TechInsights』は、半導体・電子部品分野の技術解析レポート、半導体市場調査レポート、及び半導体コスト分析レポートを提供する世界最大級の半導体関連情報リソースです。 過去、現在、未来における半導体業界の情報を元に企業の重要な意思決定を行う場面やその専門家の方々に情報を提供。 独自に蓄積した詳細な解析結果や市場の洞察を統合し、 半導体市場の足元の短期市況から長期予測、さらには技術トレンドまでを把握できるレポートを提供。 事業計画や開発方針の策定など、重要な経営判断を強力にサポートします。 【特長】 ■半導体・電子部品分野向けの技術解析・市場調査・コスト分析を提供 ■先端ロジック、先端パッケージ、DRAM メモリ、3D NANDメモリ、イメージセンサー、パワー半導体など、 主な半導体デバイスの構造解析から、プロセスフロー分析、回路解析まで幅広い解析を提供 ■スマートフォン、車載機器、家電、IoT機器、基地局、ノードなど幅広い機器の解析に対応 ■装置・材料・デバイスの各分野に対応した専門的な分析が可能 ■短期～長期の市況予測をカバー
