Samsung　３D V-NAND 構造解析レポート

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最終更新日：2024年07月19日

Samsung　３D V-NANDの構造解析レポートです。

This report is a Memory Detailed Structural Analysis (MDSA) of the K9HQGY8S5M 3D V-NAND flash memory. The K9HQGY8S5M is the industry’s first implementation of a 32 cell vertical NAND memory and marks the departure from conventional planar flash memories. 【特徴】 ○Understand key design and manufacturing innovations ○Make informed technical resource investment decisions ○Find Evidence of Use 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

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基本情報

【目次】 ○Executive Summary ○Device Summary ○Process Summary ○1.0 Package and die overview ○2.0 Substrate and Isolation analysis ○3.0 Representative Transistors ○4.0 Metals and Dielectrics ○5.0 Contacts and Vias ○6.0 High Voltage Transistor ○7.0 Flash Cell Analysis ○8.0 Materials Analysis ○9.0 Horizontal dimensions for array and periphery ○10.0 Vertical dimensions ○11.0 Major Findings ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。