デバイス設計・開発の方へ！サムスン社のNANDフラッシュの分析レポートです。デバイス動作中の重要な各信号動作を説明！
集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、Samsung21nm NAND Flashで、マイクロプローブを金属製の信号線部分に置いて、デバイスを動作させ、振動動作を記録しました。 【Samsung21nm NAND Flash】 ○Samsung最新のソリッドステートドライブで使用 【観測された信号】 ○グローバルワード線 ○ビット線 ○P-well アイソレーション ○グローバルストリングセレクト ○グローバルグランドセレクト など その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
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基本情報
【観測内容】 ○シングルプレーン LSB ページプログラム ○MSB ページプログラム ○ページ読み出し ○ブロック消去 など その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。
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