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構造解析レポート×テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights) - 企業1社の製品一覧

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Samsung 3D V-NAND 構造解析レポート

Samsung 3D V-NANDの構造解析レポートです。

This report is a Memory Detailed Structural Analysis (MDSA) of the K9HQGY8S5M 3D V-NAND flash memory. The K9HQGY8S5M is the industry’s first implementation of a 32 cell vertical NAND memory and marks the departure from conventional planar flash memories. 【特徴】 ○Understand key design and manufacturing innovations ○Make informed technical resource investment decisions ○Find Evidence of Use 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

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メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」

フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリコン製の浮遊ゲートを使用して製造されています。メモリーアレイは、32nm のビット線ピッチおよび 38nm のワード線ピッチを特徴としています。 エアギャップが採用されており、隣接セル間のクロストークを低減します。 【特徴】 ○重要なデザインとマニュファクチャリング革新の理解 ○適切な情報に基づいた技術的な資源投資判断 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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