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電極へのダメージが少ない！半導体ウェハ電極上へのバリア層形成プロセス！
『メルプレートUBMプロセス』は、半導体アルミニウム電極上に 無電解ニッケル-置換金めっきによりUBM(Under Barrier Metal)を 形成するプロセスです。 大面積電極を有するデバイスへの安定しためっき処理も可能です。 電極へのダメージが少なく、 バリア性・平滑性に優れる皮膜形成が特長です。 【特長】 ■微小電極への選択的な無電解めっきによるUBM形成 ■多種多様な電極素材に適用可能 ■還元型厚付け金めっきによる電極形成も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーモジュールをはんだや銀焼結で接合する際の下地層として最適な無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体（パワーモジュール）としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。 当社は、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少なく、接合信頼性が低下しにくい硫黄フリー低リン無電解ニッケルめっき液「ICPニコロンLPW-LFN」を開発しました。 また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されています。当社は、下地金属の腐食を抑制し、接合強度の向上に貢献する無電解銀めっき「トップシルベACC / トップシルベAG」を新たに開発しました。
耐熱性に優れたパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセス
近年、高温動作が可能な次世代のパワー半導体としてSiCやGaNデバイスが注目されており、これらを搭載した次世代パワーモジュールは200℃以上の常時動作が想定されます。そのため、高温環境下でもはんだへのニッケル拡散が少ない皮膜が要望されています。また、従来のはんだ接合に代わる高耐熱性の接合法として、銀粒子ペーストによる焼結接合が注目されており、接合強度の向上を目的に銀めっきが要望されております。 そこで、当社はパワーモジュール向け絶縁回路基板用無電解めっきプロセスを新たに開発しました。
