IGBTモジュール構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート
富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01)について解析！
当社では、『富士電機製EV、HEV用IGBTモジュール(6MBI800XV-075V-01) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 RC-IGBTのIce-Vce特性、オフ状態コレクタリーク電流及びブレーダウン電圧を それぞれ測定し、オフリーク電流の温度依存性から活性化エネルギーを算出。 インフィニオン社製IGBT7と比較しています。 【解析のポイント】 ■モジュール解析レポートでは、モジュールの内部構成を確認し、RC-IGBTの 配置及びレイアウトを明らかにしている ■チップ構造解析レポートでは、RC-IGBTのIGBT、FWD領域の平面レイアウト 及び断面構造を明らかにしている ■プロセス解析レポートでは、RC-IGBTのプロセス技術に関する考察、 マスク枚数及び製造プロセスフローを推定している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社エルテック
- 価格：応相談
