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ステルスダイシング加工技術では、MEMSウェハやLSIウェハを、「切りシロ」なく、「ドライプロセス」でチップに分割することができますので、従来のダイシング法にない多大な効果が期待できます。 特に脆弱構造を持つMEMSデバイスの開発にあたりましては、設計・試作・開発の時点から本技術をご利用になることをお勧めいたします。
単一工程は勿論のこと、デバイス設計・シミュレーション・原理試作・プロトデバイス試作・量産までをトータルでサポートいたします。また、外部ファブ、大学機関との連携により、競争力の強い価値あるサービスをご提供いたします。また半導体プロセス技術ではなしえないMEMS製造特有のプロセス(マイクロマシニング)を保有します。
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