テクサスの製品・サービス一覧

『TMK2000』は、半導体製造ラインに組み込むことで、 パッケージ取り出し・ワークホルダーへの移載・マーキング・ OCR認識・良品分別まで自動で行えるマーキング・仕分け装置です。 タッチパネルによるデータベース切り替えで 品種切り替えも容易に行えます。 【動作一覧】 1.パーツフィーダーより、個別に取出した製品を供給 2.製品のセンタリング調整 3.マーキング：印字 4.マーキング認識：OCRによる印字の判別 5.良品/不良品 振り分け 6.供給準備確認 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

• はんだ付け装置
• その他半導体

株式会社テクサスは、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、 その技術を基軸にダイボンダを始めとする半導体製造装置の自動化を実践させて頂いております。 【掲載内容】 ・ダイボンダプロセスにおける共晶反応を利用した接合 詳しくは資料をダウンロードの上、お問合せ下さい。

• その他実装機械
• プリント基板

株式会社テクサスは、独自の技術を駆使し ダイボンダ及び自動化設備の研究開発と製造を行っています。 『ダイボンダ装置ラインナップと改造事例集』は、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、その技術を基軸にダイボンダを始めとする半導体製造装置の紹介と既存機に対する改造事例を掲載した事例集です。 【掲載事例】 ■製品ラインナップ ■改造事例|ハード改造 ・低衝撃荷重の新型ロータリーボンドヘッド ・ボンドヘッド駆動部の長寿命化改造 ■改造事例集|ソフト改造 ・ポストボンド認識 ・ストリップマップ　など ■改造事例|機能追加または変更、改善 ・ディスペンス仕様追加改造 ・裏面認識追加　など ■改造事例|製造中止品対応/予防保全 ・モータ改造 ・オーバーホール冶具　など 詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他半導体製造装置

『DBD4600S』は、短冊フレーム用ダイボンダで、 0.15mm～からの小チップも対応可能　安定稼働を供給します 【仕様】 ■接合プロセス　共晶(DAF)/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ　□0.15~1.0mm(共晶)　~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) 　+/-35μm　+/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ) 　+/-3° ■ボンド/ピック荷重　30~200gf ■対応ワーク　リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅　最大70mmまで ■ウェハサイズ　6インチ又は8インチ ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム　0.3秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式　 ピン搬送(共晶又は兼用仕様)　グリッパ搬送(エポキシ専用機) ■外形寸法　2,200x1,250x1,880mm ■質量　1,200kg ■主要オプション　ロータリーボンドヘッド、裏面認識、コレットクリーナ、ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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短冊フレーム用ダイボンダ『EBD4350S』は、 速乾性ペーストに対応したエポキシダイボンダです。 【仕様】 ■接合プロセス　エポキシ/DAF/兼用機仕様 ■チップサイズ　□0.15~3.0mm ■ボンド精度(XY)　 +/-35μm　+/-25μm(裏面認識使用時) ■ボンド精度(Θ)　 +/-3° ■ボンド/ピック荷重　30~200gf ■対応ワーク　リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅　最大70mmまで ■ウェハサイズ　6インチ又は8インチ　ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム　0.35秒/チップ, 各種条件による ■搬送方式 　グリッパ搬送 ■外形寸法　1,680x1,135x1,645mm ■質量　1,300kg ■主要オプション　ロータリーボンドヘッド、裏面認識、アップダウン機構　ウェハマップ、ストリップマップ等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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『DCA1000』は、パワー半導体向けダイ及びクリップボンダです。 (装置写真は、ダイボンダ+クリップボンダ+外観検査機構の構成) 【仕様】 ■接合プロセス　 はんだコーティングされたチップの接合 及びリボンはんだによるリードチップの接合 ■チップサイズ □1.0~6.0mm ■リードチップサイズ　8.5x2.5mm, 8.5x3.5mmなど ■ボンド精度(XY) +/-150μm ■ボンド精度(Θ) +/-5° ■ボンド/ピック荷重　40~200gf ■対応ワーク　リードフレーム ■対応幅　最大30mmまで ■チップ/リード供給　パーツフィーダ供給 ■マシンサイクルタイム　0.9sec(1chip)　1.6sec(2chip) ■搬送方式　ピン搬送 ■外形寸法　2,300x1,000x1,490mm ■質量　1,200kg ■主要オプション　裏面認識によるチップ表裏判定　外観検査及びNG品の打ち抜き ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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フープフレーム用ダイボンダ『DBD4200R』 0.15mm～からの小チップも対応可能です。 【仕様】 ■接合プロセス共晶/エポキシ/兼用機仕様 ■チップサイズ□0.15~1.0mm(共晶) ~3.0mm(エポキシ) ■ボンド精度(XY) +/-35μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワーク　リードフレーム又は基板、キャリア ■対応幅最大78mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.25秒/チップ(共晶), 各種条件による ■搬送方式ローラ搬送 ■外形寸法1,740x1,150x1,185mm ■質量1,000kg ■主要オプション　　ロータリーボンドヘッド、アンコイラ、カッター、ウェハマップ、ポストボンド認識等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワー半導体向けフラックスレス半田ボンダ『DBD3580S』 最大幅100mmのPower QFNなど多列ワークに対応しています。 【仕様】 ■接合プロセス糸はんだ塗布 ■チップサイズ　□1.0~6.0mm ~10.0mm(オプション) ■ボンド精度(XY) +/-50μm ■ボンド精度(Θ) +/-3° ■ボンド/ピック荷重30~200gf ■対応ワークは、リードフレーム又は、キャリア ■対応幅最大100mmまで ■ウェハサイズ6インチ又は8インチ ■ディスコリングもしくはエキスパンドリング ■マシンサイクルタイム0.60秒/チップ, 各種条件による ■ピン搬送 ■外形寸法2,000x1,235x1,650mm ■質量1,300kg ■主要オプションウェハチェンジャ(標準仕様)、マガジンローダ ウェハマップ、パンチユニット等 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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株式会社テクサスは、日本電産トーソク株式会社のダイボンダ技術を継承し、その技術を基軸に半導体製造装置の自動化を実践させて頂いております。 安全第一主義経営を実践し、コト前管理を徹底し、行動指針に乗っ取り行動を興します。 【製品案内】 ○DBD4200R / EBD4200R ○DBD4600S / EBD4600 ○DBD3580SW ○EBD4350S 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

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