サファイアウェーハ 直径、サイズ φ0.5inch to φ8inch, 3mm × 3mm to 200mm × 200mm サファイアウィンドウ 直径、サイズ φ3.5mm to φ290mm, 3mm × 3mm to 200mm × 200mm サファイアインゴット 直径、サイズ φ0.5inch～φ8inch PPS基板 直径 2-inch、4-inch

• その他高分子材料

直径mm：φ200-φ550

• その他金属材料

材料 AlSiC 体積分率 (Vol%) 65~70 熱伝導率 (W/m・K) 200±20 熱膨張係数 (×10-6/K) 6.5~9 電気伝導率 (mS/m) ＞6 密度 (g/cm3) 2.97~3.1 銅メッキ (μm) 8~12 金メッキ (μm) ＞1.3

• その他金属材料

材料 AlSiC 体積分率 (Vol%) 65~70 熱伝導率 (W/m・K) 200±20 熱膨張係数 (×10-6/K) 6.5~9 電気伝導率 (mS/m) ＞6 密度 (g/cm3) 2.97~3.1 銅メッキ (μm) 8~12 金メッキ (μm) ＞1.3

• その他金属材料

材料 AlSiC MoCu 体積分率 (Vol%) 55~65 40±2 熱伝導率 (W/m・K) 200±20 300±20 熱膨張係数 (×10-6/K) 9~11 10~13 電気伝導率 (mS/m) ＞6 ＞40 密度 (g/cm3) 2.93±0.03 9.42±0.03 チタンメッキ (μm) ＜0.5 / ニッケルメッキ (μm) 8~12 3~7 銅メッキ (μm) 20~30 / 銀メッキ (μm) 4~8 4~8

• その他金属材料

2、４、６inch GaN 青色/緑色/赤色LED Wafer

• その他金属材料

(10±0.5)×(15±0.5)mm² Customized Size

• その他金属材料

窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。

• ウエハー

単結晶シリコン材料 P型<100>/<111> 直径:φ250mm-φ600mm 抵抗率 ohm.cm　Res︓0.001-0.02、1-5、 60-90 多結晶シリコン材料 サイズ:長さ=1000mm、幅=1000mm、高さ=300mm 抵抗率 ohm.cm　Res︓0.001-0.02、1-5

• その他半導体

一般名称：ポリシリコン、多結晶シリコン 化学式：Si グレード ： Nugget S-Nugget Cut-Rod 用途 ：半導体用シリコンウエハー

• ウエハー

Material: スピネルSpinel, コージェライトCordierite Diameter: 4 or 6inch Thickness: 350-750±25μm (Customized) Polytype: Poly-Crystalline TTV: ≤5μm Warp: ≤35μm Front-Surface Roughness: Ra≤0.5nm(5μm×5μm） Back-Surface Roughness: Ra≤2.0nm(5μm×5μm）

• その他電子部品

豊富な取り扱い製品 多品種のシリコンウエハーを豊富に取り揃えております 小ロット対応可能 お客様の要望を丁寧に細かく対応致します 柔軟な対応 在庫ウエハーでカバーできない規格もインゴットから加工対応 弊社では、丁寧なヒアリングを行いお客様のニーズにあった最適なウェーハをご提案させていただきます。 カセットケース入り、コインロールケース入りなどご希望に合わせた形態で発送いたします。 タイプや厚みを不問としさらにコストを抑えるウェーハの販売も可能です。

• ウエハー

外径：Φ300～475mm 内径：オーダーメイド 長さ：<260mm オリエンテーション：(100), (111) タイプ/ドーパント：P/ホウ素 抵抗率 (Ω.cm)：≤0.01~100

• その他半導体

外径：Φ300～Φ475mm 内径：オーダーメイド オリエンテーション：(100), (111) タイプ/ドーパント：P/ホウ素 抵抗率 (Ω.cm)：≤0.01~100 厚さ：オーダーメイド その他：オーダーメイド

• その他半導体

外径：<Φ475mm オリエンテーション：(100), (111) タイプ/ドーパント：P/ホウ素 抵抗率 (Ω.cm)：≤0.01~100 厚さ：オーダーメイド その他：オーダーメイド

• その他半導体

直径mm：φ200-φ550 タイプ：P 結晶方位：<100>/<111> 純度 ：10～11N 电阻率（Ω.cm）： ≤0.01 1-4 60-90 オーダーメイド 長さ：オーダーメイド

• ウエハー

シリコンウェーハ製品 2～12インチまでの半導体用基板として使用される大手メーカーのシリコンウェーハを取り扱っている。ユーザーの利用目的や要望に合ったウェーハを提供。厚み：280～775±25μm、製法：CZ／FZ。両面／片面ミラー仕上げ。

• ウエハー

SiCインゴット製品 4インチ 4H-N 6インチ 4H-N 8インチ 4H-N

• ウエハー

SiCの製品を提供しております。 2-6インチ4H/6H-P SiCウェーハ　 2-6インチ3C SiCウェーハ 5-10ｍｍ4H/6H-P SiCウェーハ 5-10ｍｍ3C SiCウェーハ 4-8インチ4H-N SiCウェーハ 4-8インチ4H-半絶縁性 SiCウェーハ 4-8インチSiCインゴット販売開始。

• ウエハー