オン・セミコンダクターの製品ラインアップ

当社で取り扱う「MOSFET High Voltage(オートモーティブ)」について、 ご紹介いたします。 幅広いパワーレンジに対応。自動外観検査(ウェッタブルフランク)対応。 業界標準フットプリントと実績のあるパッケージラインアップが 特長です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■NVHL110N65S3HF ■NVHL110N65S3F ■NVHL095N65S3HF ■NVHL095N65S3F ■NVHL082N65S3HF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「MOSFET High Voltage(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 再生エネルギー、データセンター、バッテリーパワーアプリケーションなど、 幅広いアプリケーションに対応。 より高い電流密度、より高いスイッチング性能、より高い熱性能の 要件に応える幅広いポートフォリオです。 【製品(一部)】 ■NVHL110N65S3HF ■NVHL110N65S3F ■NVHL095N65S3HF ■NVHL095N65S3F ■NVHL082N65S3HF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(オートモーティブ)」について、 ご紹介いたします。 スイッチング用途において優れた性能と信頼性を実現する、 低～中電圧パワーMOSFETの包括的ポートフォリオ。 高電力密度、スイッチング損失の低減、優れた熱性能を兼ね備え、 システム性能を大幅に向上しました。 【製品(一部)】 ■STTFS015N10MCL ■STMFSC3D1N08M7 ■STMFSC017N15M5 ■STMFSC008N10M5 ■STD5407N ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 低RDS(on)で、システム効率を飛躍的に向上。 低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減しました。 先進パッケージで、卓越した熱性能を提供いたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■NVMFS5C450NAFT1G-YE ■NVMFS5C450NET1G ■NVMFS5C450NET1G-YE ■NVMFS5C450NET3G-YE ■NVMFS5C450NWFET1G ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「MOSFET Small Signal MOSFETs」について、 ご紹介いたします。 多様なアプリケーションに対応する、高速スイッチング小信号MOSFETの 充実したポートフォリオ。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■SI4532DY ■NVTR4503N ■NVTR4502P ■NVTR01P02L ■NVTJD4001N ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)」について、 ご紹介いたします。 高性能な電力変換アプリケーションに最高クラスの信頼性を提供する IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラ トランジスタ)です。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■FGD3N60LSD ■AFGB30T65RQDN ■AFGHL30T65RQDN ■AFGHL40T65RQDN ■AFGB40T65RQDN ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「パワーモジュール IGBT Modules」について、 ご紹介いたします。 IGBTモジュールはトラクションやソーラーインバータ、 エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置、モータ駆動の DC-ACステージで使用されます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■SNXH800H120L7QDSG ■NXH80T120L3Q0 ■NXH800H120L7QDSG ■NXH800A100L4Q2F2 ■NXH75M65L4Q1 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「パワーモジュール MOSFETモジュール」について、 ご紹介いたします。 これらのモジュールには、スーパージャンクション技術とセンスレジスタを 備えた40V、60V、80V、650Vの定格があります。 シックスパックとフルおよびハーフブリッジ・トポロジのほかに、 トーテムポールPFCトポロジもあります。 【製品(一部)】 ■NXV65HR82D ■NXV65HR51DZ ■NXV10V160ST1 ■NXV10V125DT1 ■NXV08V110DB1 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「パワーモジュール Si/SiCハイブリッドモジュール」 について、ご紹介いたします。 高電力密度を実現するIGBT統合パワーモジュールで、従来の非ハイブリッド モジュールと比較してスイッチング損失を低減し、より高温環境での動作が 可能。 高周波スイッチングシステムにおいて、優れた効率特性を発揮します。 【製品(一部)】 ■NXH600N105H7F5S2HG ■NXH600N105H7F5S1HG ■NXH600N105H7F5P2HG ■NXH600B100H4Q2F2S1G ■NXH600B100H4Q2F2 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「パワーモジュール IPM モジュール」について、 ご紹介いたします。 民生用、産業用、車載用機器向けのゲートドライバ内蔵の高電圧 パワーモジュールです。 PFCや入力ブリッジ整流器など、各種トポロジで利用できます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■FAM65V05DF1 ■FBA42060 ■FCBS0550 ■FNA21012A ■FNA22512A ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「パワーモジュール sicモジュール」について、 ご紹介いたします。 SiC MOSFETとSiCダイオードを統合した高効率パワーモジュールで、 昇圧モジュールは、ソーラーインバータのDC-DCステージに好適。 SiCパワーモジュールは、スイッチングによる電力変換を担い、 システム全体の高効率化を実現。低損失特性により 高周波スイッチングが可能となり、設計の自由度を向上します。 【システムメリット】 ■高効率化によりエネルギー損失を大幅低減 ■小型・軽量化を実現し、システム設計を最適化 ■優れた熱特性により、放熱設計の簡素化と信頼性向上に貢献 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「Sic SiCダイオード」について、 ご紹介いたします。 従来のSiを超える性能を実現する革新的SiCテクノロジー。 高効率・低損失・高温動作を同時に実現し、新しい電力変換を 加速します。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■UJ3D1725K2 ■UJ3D1250K2 ■UJ3D1250K ■UJ3D1220KSD ■UJ3D1220K2 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「Sic SiC MOSFET」について、ご紹介いたします。 絶縁ゲート構造を持つMOSFETであり、シリコンMOSFETと同等の設計で ありながら、より高い耐圧と優れた熱伝導率を実現。高速かつ高い堅牢性を 備え、コンパクトかつ低コストで高効率なシステム設計を可能にします。 SiC MOSFETを採用したシステムは、従来のシリコンベースと比較して、 より高い性能と効率を実現します。 【メリット】 ■高周波スイッチングに対応し、性能と効率を最大化 ■高温環境下でも安定した動作が可能 ■周辺部品(インダクタ、フィルタ等)の小型化により、システム全体の 　小型化を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「SiC MOSFETベアダイ」について、ご紹介いたします。 オンセミのSiCベアダイは、EVトラクションインバータ、DC-DCコンバータ、 オフボード充電器などの高電力アプリケーションでの使用に 最適化されています。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品】 ■NCS025M3E120NF06X ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

「SiC JFETs」は、650V～1700Vの耐圧に対応する高性能な ノーマリーオン型トランジスタです。 最大4mΩからの超低オン抵抗(RDS(on))を実現し、他技術の 半分以下のチップサイズで高効率を達成。 低ゲート電荷(Qg)により、導通損失およびスイッチング損失を 大幅に低減します。 【特長】 ■高周波スイッチングに対応 ■電源ユニット(PSU)や高電圧DC-DCコンバータに好適 ■AIデータセンターの高電力要件に対応する高効率電力変換を実現 ■EVバッテリーディスコネクトユニットにおいて、複数部品を 　SiC JFETベースのソリッドステートスイッチに置き換え、効率と安全性を向上 ■エネルギー貯蔵システムやSSCBなどの先進トポロジーにも対応 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

「SiC キャスケードJFETs」は、クラス最高レベルのスイッチング速度を 実現し、スイッチング損失の低減と高効率化に貢献する製品です。 高周波スイッチングに対応し、最小5mΩからの超低オン抵抗(RDS(on))を 実現しながら、他技術の半分以下のチップサイズで高電力密度を達成。 スルーホール(ケルビン対応含む)および表面実装パッケージに対応し、 優れたコストパフォーマンスを提供します。 【特長】 ■標準的なゲート駆動(0～12V)に対応 ■SiCデバイスでありながら既存ドライバ回路をそのまま活用可能 ■小型チップと既存ドライバ互換性により、システム性能と 　コスト構造を最適化 ■電力変換に向けて、高効率・高密度・低コストを同時に実現する 　革新的SiCカスコードJFETソリューション ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。