エネルギー貯蔵システムやソリッドステートサーキットブレーカ(SSCB)などの先進トポロジーにも対応！
「SiC JFETs」は、650V～1700Vの耐圧に対応する高性能な ノーマリーオン型トランジスタです。 最大4mΩからの超低オン抵抗(RDS(on))を実現し、他技術の 半分以下のチップサイズで高効率を達成。 低ゲート電荷(Qg)により、導通損失およびスイッチング損失を 大幅に低減します。 【特長】 ■高周波スイッチングに対応 ■電源ユニット(PSU)や高電圧DC-DCコンバータに好適 ■AIデータセンターの高電力要件に対応する高効率電力変換を実現 ■EVバッテリーディスコネクトユニットにおいて、複数部品を SiC JFETベースのソリッドステートスイッチに置き換え、効率と安全性を向上 ■エネルギー貯蔵システムやSSCBなどの先進トポロジーにも対応 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
オンセミは、より良い未来を築くために破壊的なイノベーションを推進しています。 自動車と産業用エンドマーケットに焦点を当て、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネルギーグリッド、産業オートメーション、5G ＆クラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を解決するインテリジェントなパワーおよびセンシング技術を創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を実現する方法をリードしています。 当社は迅速で信頼性の高いサプライチェーンと品質プログラム、そして堅牢なESGプログラムを運用しています。米国アリゾナ州スコッツデールに本社を置き、主要な市場に製造施設、営業・マーケティ ング拠点、 エンジニアリングセンタのグローバルネットワークを展開しています。
