ノベルクリスタルテクノロジーの製品・サービス一覧

当技術資料は『超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード』 について掲載しています。 当社では、市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を 最大で40％低減することに成功しました。 開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。 また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。 【掲載内容】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、 高速な成長が可能な半導体材料です。 気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が 可能とされています。 また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、 スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を持つ パワーデバイスを作製できることが期待されています。 【特長】 ■低コストでバルク単結晶の製造が可能 ■GaNやSiCを超える高耐圧パワーデバイスの可能性 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• その他金属材料
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