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『EVAL-iSSI30R12H』は、インフィニオンのiSSIソリッドステート アイソレーターiSSI30R11Hの製品機能をアプリケーション回路で 評価することを目的としています。 ACスイッチ構成でiSSI30R11Hと2つのCoolMOS IPT60T022S7 MOSFETを 搭載した評価ボードです。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iSSI30R12H＋IPT60T022S7 CoolMOS搭載 ■ACスイッチ構成 ■超高速過電流検出 ■直接CoolMOS温度測定 ■高速ターンオン/高速ターンオフ ■ダイナミックミラークランプ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『EVAL-iSSI30R11H』は、ACスイッチ構成でiSSI30R11Hと2つのCoolMOS IPQC60R010S7 MOSFETを搭載した評価ボードです。 インフィニオンのiSSIソリッドステートアイソレーターiSSI30R11Hの 製品機能をアプリケーション回路で評価することを目的としています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iSSI30R12H＋IPT60T022S7 CoolMOS搭載 ■ACスイッチ構成 ■超高速過電流検出 ■直接CoolMOS温度測定 ■高速ターンオン/高速ターンオフ ■ダイナミックミラークランプ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
評価ボード『EVAL-FFXMR20KM1HDR』を使用すれば、きわめて迅速に 初期特性測定を開始できます。 本評価ボードは、EiceDRIVER 1ED38x0Mc12Mを使用し、I2C-BUS経由で 柔軟なパラメータ設定を行えるオプションを備えているため、ハードウェアを 変更することなく、異なるアプリケーションに迅速に適合させることが可能。 I2C経由でアクセス可能な27個のコンフィギュレーション レジスタで、 柔軟にパラメータを設定できます。 【特長】 ■CoolSiC Trench MOSFET技術を使用した62mm、2kVモジュール用 ハーフブリッジドライバー ■ソースシンクが分離独立した出力によりゲート駆動を最適化 ■パラメータ調整用I2Cバス搭載ドライバーIC 1ED3890MC12Mまたは 1ED3890MU12M (X3デジタル) ■ハードウェア低電圧ロックアウト(UVLO)保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『TLE9351BVSJ』は、車載用および産業用アプリケーション向けの 高速CANトランシーバーです。 物理バス層とHS CANプロトコルコントローラの間のインターフェースとして、 ネットワーク内で発生する干渉からマイクロコントローラーを保護。 高いESD耐性と最適化されたRF耐性により、保護デバイスを追加することなく、 車載用アプリケーションに使用することができます。 【特長】 ■ISO 11898-2：2016およびSAE J2284-4/-5完全準拠 ■最大5MBit/sのCAN FDデータフレームに対するループ遅延の対称性 ■非常に低い電磁放射(EME)特性により、コモンモードチョーク不要 ■3.3V及び5Vのマイコンインターフェースに適応するためのVIO入力 ■世界中のOEMで使用できるように最適化されたフィルタ時間を有した バスウェイクアップパターン(WUP)機能 ■最小暗電流のスタンバイモード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『OPTIGA Trust M MTR』は、インフィニオンのOPTIGA Trust M ディスクリートセキュリティソリューションとMatterプロビジョニング サービスとを組み合わせたものです。 様々なマイクロコントローラーやSoCで動作するため、既存のスマートホーム デバイスの設計に、セキュアなMatterの互換性を簡単に追加できます。 また、パートナー企業のKudelski IoTとの緊密な連携により、当社は客先製造 ラインでパーソナライズされたデバイス認証証明書 (DAC) の書き込み方法を提供し、 生産開始直前までエンドユーザーが柔軟にDACを更新できるようにしています。 【特長】 ■CSA認証Matter証明書 ■プロビジョニング済みTLS証明書 ■CC EAL 6＋認証 ■暗号化ツールボックス ■ECC 512およびRSA 2Kまでのキーサイズ ■AES、HMAC、鍵導出 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う、「車載用スマートハイサイドスイッチ 12V」について ご紹介いたします。 本製品は、シートヒーター アプリケーションの電磁波の仕様に対応するため、 スルーレートが遅くなっており、保護機能に電流トリップを使用します。 さらに、ISO 26262-readyドキュメントにより、安全関連アプリケーションへの 実装をサポートします。 【特長】 ■低電圧リカバリー時に遅延時間なし ■絶対温度および動的温度制限によるリスタート制御 ■インテリジェントリスタート制御による過電流保護機能(電流トリップ) ■低電圧シャットダウン ■外付け部品による過電圧保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『T2200N16H100』は、先進の圧接技術を用いた1600V、100mm径の サイリスタディスクです。 生産労力とクランプ力の観点から最適化されており、小さなクランプ システムで同じオンステート損失を可能にします。 その結果、同じフットプリントでコスト効率の高い製品への置き換えが 可能になると共に、インフィニオンの定評ある高信頼性により、製品の 長寿命化を実現します。 【特長】 ■故障時の短絡モード ■最高クラスのパッシベイション ■銅表面の露出なし ■高度に自動化された生産工程 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
超高速ソフトリカバリーの『1200V EC7ダイオード』は、産業用および 家庭用電化製品アプリケーション、ソーラーMPPTブースト、EV充電用 三相整流回路 (Vienna Rectifierトポロジー)の信頼性を向上させます。 さらに、TO247-2パッケージの採用により、放電に関連する故障モードが 低減。独自の高電流定格(最大140A)により、ディスクリートパッケージでの 電力密度が向上し、小型で軽量な設計が可能になります。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低い順方向電圧(VF) ■低い逆回復電流 ■超高速な逆回復時間 ■JEDEC規格 HV-H3TRB(高温高湿バイアス試験)に準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
本モジュールは、熱抵抗の最適化と、より高い動作温度への対応によって、 電流の限界を超えた性能を実現しました。 これにより、同じフットプリントで最高レベルの電力密度と、定評のある 信頼性、製品の長寿命化を実現。 また、インフィニオンの圧接モジュールは、一般的に最高クラスの電圧耐量を 実現し、高い硫化水素耐性(H2S)を備えています。 【特長】 ■標準パッケージで最高クラスの電力密度 ■故障時の短絡モード ■銅表面の露出なし ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う、ホットスワップコントローラー『XDP710-002』 をご紹介いたします。 AIサーバーに好適なプログラマブル デジタルSOA制御を備え、 広い入力電圧に対応。 AFEにより単体で測定精度0.75％を実現します。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■VIN：＋5.5V～＋80V(500ms以内-100V過渡耐性) ■専用12ビットV/I ADC ■内蔵ゲートドライバー：0～250μA ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『XDP700-002』は、通信インフラに好適なプログラマブル デジタルSOA制御を 備えた、広い入力電圧に対応した-48Vホットスワップ コントローラーです。 正確なリアルタイムシステム測定、AFEにより単体で測定精度0.75％を実現。 単一または複数のNチャンネルFETを駆動します。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■VIN：-6.5V～-80V(500ms以内-100V過渡耐性) ■専用12ビットV/I ADC ■内蔵ゲートドライバー：0～250μA ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「車載用電流センサーXENSIV TLE4973」について、 ご紹介いたします。 1つのデジタル制御および診断インターフェースにより、温度の読み出し、 安全ステータスの読み出し、内部EEPROMへアクセスし、プログラミングの 読み書きが可能。 当社のホール技術は、高精度かつ高いリニアリティを持った測定が可能です。 【特長】 ■電流経路と検出回路間のガルバニック絶縁1150V ■非常に低い内部電流経路抵抗(typ.220μΩ) ■デジタル制御および診断インターフェース ■プログラム可能な感度および過電流閾値 ■非常に高速な過電流検出(反応時間0.7μs(typ.)) ■ASIL B、UL規格までの安全要件に対応したISO 26262準拠の開発 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「TPM(トラステッドプラットフォームモジュール) SLB9673」 について、ご紹介いたします。 ネットワークインフラストラクチャや工場の堅牢性など、軽工業機械を 識別/認証するための強固な基盤として機能。 プログラマブルロジックコントローラー(PLC)を識別/認証し、データの 完全性と機密性を保護します。 【特長】 ■最大1MHzのI2Cインターフェース ■先進の暗号アルゴリズムに対応 ■TCG、CC、FIPS認証 ■TCG TPM 2.0規格(Revision1.59)に対応 ■XMSS署名によるPQC保護されたファームウェアアップグレード機構 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「TPM(トラステッドプラットフォームモジュール) SLB9672」 について、ご紹介いたします。 拡張メモリと強力なアルゴリズムを備えており、PQCで保護された ファームウェアアップデートメカニズムを提供。 復元機能により、NIST SP 800-193ガイドラインに準拠し、 TPMファームウェアを復元できます。 【特長】 ■XMSS署名によるPQC保護されたファームウェアアップグレード機構 ■先進のTCG TPM 2.0規格(Revision1.59)に対応 ■TCG、CC、FIPS認証 ■先進の暗号アルゴリズムに対応 ■4つの保証鍵(EK)と4つのEK証明書による完全なパーソナライズ機能 ■SPIインターフェース ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「無線インフラ用ドライバーアンプ」について、 ご紹介いたします。 マッシブMIMO5G基地局からスモールセルやアクセスポイントまで、 RFアプリケーションのプリドライバーまたはドライバーとして使用可能。 この小型で強力なアンプは、通常トランシーバーICとパワーアンプの間に 位置しますが、低電力アプリケーションのパワーアンプとしても使用できます。 【特長】 ■電源電圧：5V ■ゲインフラットネス：≦0.4dB ■高ゲイン35dB ■高OP1dB：28.5dBm ■周波数範囲：2.3～2.7および3.3～4.2GHz ■差動入力インターフェース ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「車載向け OPTIREG リニア電圧レギュレーター」について、 ご紹介いたします。 400mAまでの負荷を供給できるモノリシック集積型低ドロップアウト 電圧レギュレーター。 厳しい電流制限と診断が必要な重要アプリケーションへの供給に好適な、 監視/保護機能とハイサイド電源スイッチを備えています。 【特長】 ■電流モニター内蔵 ■過電圧、過温度、過電流検出 ■調整可能な出力電圧 ■最大400mAの出力電流 ■調整可能な出力電流制限 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「ソリッドステートアイソレーター(SSI)」について、 ご紹介いたします。 CoolMOS、OptiMOS、TRENCHSTOP IGBT、CoolSiCなどのMOS制御 パワートランジスタのゲート駆動用で、ガルバニック絶縁バリアを またいでエネルギー伝送を実現。 さまざまなアプリケーション向けにソリッドステートリレーを簡単かつ 安全に構築できます。 【特長】 ■ゲート駆動用絶縁ゲートバイアス電源内蔵 ■高インピーダンス、CMOS入力 ■高出力電圧 最大18V-強力なゲート駆動用の直列/並列構成は不要 ■185μA(ダイレクトドライブタイプ)または400mA(バッファタイプ)の 高出力ピーク電流 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「車載向けタッチコントローラー Gen6XL」について、 ご紹介いたします。 静電容量式タッチコントローラーで、タッチスクリーン上の最大10本の 指の位置を分解して報告するセンシングと処理技術を搭載。 このタッチコントローラーは、センサーの静電容量をデジタル値に変換し、 コントローラー内のタッチ検出および位置解決アルゴリズムで処理します。 【特長】 ■車載電子部品評議会(AEC)Q100認証 ■MISRA-C/IATF16949準拠 ■非長方形のタッチスクリーン ■DualSenseを使用した耐水と濡れた指のトラッキング ■自動モード切替機能付きグローブモード ■低消費電力ウェイクアップオプション ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「車載向けタッチコントローラー Gen6L」について、 ご紹介いたします。 静電容量式スライダーコントローラーで、スライダー上の最大10本の 指の位置を分解して報告するセンシングと処理技術を搭載。 このタッチコントローラーは、センサーの静電容量をデジタル値に変換し、 コントローラー内のタッチ検出および位置解決アルゴリズムで処理します。 【特長】 ■車載電子部品評議会(AEC)Q100認証 ■MISRA-C/IATF16949準拠 ■DualSenseを使用した耐水と濡れた指のトラッキング ■自動モード切替機能付きグローブモード ■低消費電力ウェイクアップオプション ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「ハーフブリッジSOIゲートドライバー IC用評価ボード 160V」について、ご紹介いたします。 定格160Vの2ED2748S01G(3x3 10-Lead DFNパッケージ)ハーフブリッジ ゲートドライバーおよび定格100VのOptiMOS MOSFET IPTC015N10NM5 (HDSOP-16パッケージ)6個で構成された、3相インバーター電源ボード。 高駆動電流(4A/8A)で複数のスイッチを並列駆動可能です。 【特長】 ■ブートストラップ電圧(BV)＋160V ■4A/8Aソース/シンク駆動 ■ブートストラップ用フローティング設計 ■ブートストラップ内蔵 ■ハイサイドとローサイドの両方に対して低電圧ロックアウト機能(UVLO) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「ハーフブリッジゲートドライバー評価ボード 650V/2.5A」 について、ご紹介いたします。 ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC2ED2184S06Fと2つのMOSFET、 IPD60R360P7が搭載。 インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバーの 基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。 【特長】 ■最大で＋650Vの動作電圧(VSノード) ■インフィニオンのSOIテクノロジーを使用 ■負のVS過渡耐性100V ■シュートスルー保護(STP)内蔵 ■低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■ブートストラップ動作用に設計 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱う「ハイ/ローサイドゲートドライバー評価ボード 650V/0.7A」 について、ご紹介いたします。 ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC2ED2106S06Fと2つのMOSFET、 IPD60R360P7が搭載。 インフィニオンシリコンオンインシュレータ(SOI)ゲートドライバーの 基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。 【特長】 ■最大で＋650Vの動作電圧(VSノード) ■インフィニオンのSOIテクノロジーを使用 ■負のVS過渡耐性100V ■低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■ブートストラップ動作用に設計 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
フルブリッジ トランス ドライバー評価ボードは、設計エンジニアがフルブリッジトランスドライバICの2EP1xxRを評価するのにお使いいただける製品です。 評価ボードには３種類のバリエーションがあり、MOSFETとIGBT用にデュアル出力ピーク整流と調整可能な出力電圧を備えた、2EP130Rトランスドライバー評価ボードやSiC MOSFET用にデュアル出力ピーク整流を備えた、2EP130Rトランスドライバー評価ボードをラインアップしております。 【特長】 ■フルブリッジ トランスドライバーIC 2EP130Rの評価が容易 ■２個のゲートドライバーIC用絶縁電源 ■広い入力電源範囲 (VVDD): 5 V～20 V ■内部オシレーターまたは外部パルス幅変調 (PWM) を使用した50～695 kHzの広い動作範囲 ※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。
20V/5W フルブリッジトランスドライバー「2EP1xxR」は、 コンパクトなTSSOP 8ピンパッケージに搭載されたフルブリッジ トランス ドライバーICの製品ファミリーで、 絶縁ゲートドライバーに供給する正負電源を生成することが可能な製品です。 独自のデューティサイクル設定機能によりゲートドライバー向け正負電源に最適化されています。 【特長】 ■加熱、短絡、低電圧ロックアウト (UVLO) に対する統合保護機能を搭載 ■絶縁ゲートドライバー電源 ■最大20 Vまでの広い電源電圧範囲 ■周波数設定: 50 kHz～695 kHz ■デューティサイクル設定: 10%～50% ※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。
本キットにより、PSoC4000T上でインフィニオンの第5世代CAPSENSE テクノロジーの迅速なプロトタイプ作成が行え、超低消費電力の常時 オンセンシング機能とSNR性能をお確かめいただけます。 キットには、自己静電容量式 および相互静電容量式スライダー、 近接センサー、自己静電容量式および相互静電容量式ボタンが含まれます。 PSoC4プロジェクトの開発およびデバッグには、ModusToolboxソフトウェアを ご使用いただけます。ModusToolboxソフトウェアは、インフィニオンの デバイスを既存の開発手法に統合するためのツールセットです。 【主な特長】 ■KitProgのデフォルト5.5 V電源で、1.8 V動作が可能 ■リセットスイッチ×1、電源インジケーター×1、LEDステータス インジケーター ■OOB(Out Of Band)ファームウェアでプログラム済み ■オンボードKitProg3(異なるKitProg HW IDを使用) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、e-bikeや電動工具の充電器に一般的に使用される24 Vおよび 36 Vリチウムイオンバッテリーパック向けの高効率170 Wシングルステージ ハイブリッドフライバックリファレンスデザインです。 本リファレンスデザインの広い入力電圧範囲は設定が可能で、マルチモード 動作のデジタルコントローラー「XDP XDPS2201」と、600 Vの「CoolMOS P7」 スーパージャンクションMOSFET(IPA60R280P7S)2個が搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■ハイブリッドフライバック(非対称ハーフブリッジ) ■出力電圧範囲：18 V～42 V ■出力170 W ■定格負荷時、AC230 Vで最大95％ ■24 Vおよび36 Vバッテリーパック向け ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、二次側レギュレーション(SSR)と定電流(CC)出力を備えたシングル ステージPFCフライバックトポロジーを使用しているリファレンスボードです。 ユニバーサル入力電圧範囲と24V～58Vの広い出力電圧範囲により、 バッテリー充電器アプリケーションに適しています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■ユニバーサル入力電圧 ■出力電圧範囲：24 V～58 V ■最大2AのCC出力調整可能なSSR ■高力率、高調波電流低減 ■低い待機電力用のバーストモード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、フライバックトポロジーのインフィニオン第5世代 固定周波数CoolSETファミリー(ICE5GR4780AG)を使用した補助電源用 リファレンスデザインです。 フィードバックループにはシンプルなツェナーダイオード基準電圧を、 EMI抑制にはシンプルな入力パイ型フィルターを採用し、小型家電を ターゲットとしたコストパフォーマンスの高い補助電源をサポートします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■最大100WのUSB-C PD 3.1仕様に対応 ■可変入力電圧：85～265 VAC ■絶縁 12 V/0.5 A出力 ■115/230 VAC時で全負荷効率82％以上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、昇降圧型バッテリーチャージャーを内蔵したEZ-PD PMG1-B1 USB パワーデリバリ(PD)マイクロコントローラー(MCU)の評価キットです。 「EZ-PD PMG1-B1」は、USB-C PDで電力を供給するバッテリー駆動 アプリケーションを対象としています。 本キットは、最大100Wのシンクおよび最大27Wのソースに使用されます。 また、2セル-5セル電池の充電にも使用でき、電池充電アルゴリズムは EZ-PD PMG1-B1SDKの一部として実装されています。 【特長】 ■最大100 WのUSB-C PD 3.1仕様に対応 ■マイコン、フラッシュメモリ、昇降圧DC-DC ■バッテリーチャージャー ■高電圧保護回路 ■複数の規格に対応するプログラム性 ■複数の規格へのカスタマイズ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、v5.4コア仕様に対応したデバイスで、演算性能とRF性能、 エネルギー効率、I/Oオプション、セキュリティの適切な組み合わせを 実現し、幅広いアプリケーションに向けた機能豊富で革新的なBluetooth ソリューションを提供します。 デュアルArm Cortex-M33コア、最高クラスのRFリンクバジェットを 持つ強力で高効率なBluetooth LEラジオ、アプリケーションSRAM、 外部フラッシュ用のXIP機能搭載のSMIFなど、豊富なインターフェースと ペリフェラルを集積。 セキュアブート、セキュア実行環境、カスタムキー用のeFuse、 暗号アクセラレーションをサポートしています。 【主な特長】 ■フル機能Bluetooth LE 5.4対応 ■TX出力：最大＋10 dBm ■RX感度：-106 dBm(coded, S＝8) ■電源範囲：1.7～3.6 V ■32プログラマブルGPIO ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、昇降圧コントローラーを搭載したインフィニオンの高集積 デュアルポートUSB Type-Cパワーデリバリー(PD)ソリューションです。 先進のUSB Type-CおよびPD仕様に準拠し、マルチポートの民生用 充電アプリケーションを対象としています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■USB-PDポート × 2 ■PPSモードを含むUSB PD 3.0バージョン2.0に対応 ■昇降圧コントローラー × 2 ■レガシー/ベンダー独自の充電ブロック × 2 ■32ビットMCU - 48-MHz ARM Cortex M0 CPU ■システムレベルの故障保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、先端の車載品質規格AEC-Q103-003に準拠した高性能デジタル XENSIV MEMSマイクロフォンです。 過酷な車載環境における高いオーディオ性能及びアナログインターフェースが 要求される車内外の様々な用途に適しています。 さらに、フラットで安定した周波数特性と位相特性、7 Hzでの非常に低い LFRO(低域ロールオフ)により、アコースティックノイズキャンセリング(ANC)の アプリケーションを完璧にサポートします。 【特長】 ■車載規格AEC-Q103-003に準拠 ■広い動作温度範囲：TA ＝ -40℃…105℃ ■7 Hzまでのフラットな周波数特性 ■デジタルPDM(Pulse Density Modulation)出力 ■ハイダイナミック レンジおよび高い風切り音耐性 ■66 dB SPL(音圧レベル)の高いSNR(信号対雑音比) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、ドハティPA用に最適化されており、PAごとに4つのDAC出力で、 最大2つのPAにバイアス供給しますが、どのようなPA構成でも使用可能です。 DACの分解能は12ビットで、電流駆動能力はソース50 mA、シンク20 mA。 DACは、独立した電源を持つ2つのグループで構成されており、LDMOSおよび GaNトランジスタにバイアス供給するために、正と負の電源電圧で動作させる ことができます。 さらに、PAの高速TDD動作用のクランピングスイッチと、電源電圧とドレイン 電流を測定するためのADCを内蔵しています。 【主な特長】 ■12ビット分解能のDACを8個搭載 ■2電流シャントADC, 1電圧ADC ■Vout 範囲：-7…0 / 0…7 V ■温度センサー内蔵 ■制御インターフェース：I2C ＆ I3C ■パッケージ：VQFN-32(5x5 mm2) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、EconoDUAL3パッケージの新しいTRENCHSTOP IGBT7 モジュールです。 シャント、Emitter Controlled 7ダイオード、NTC、PressFIT コンタクト技術を搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■電流計測用シャント抵抗を内蔵したEconoDUAL 3 ■IGBT4または先進のIGBT7テクノロジーを搭載 ■最大電流750Aまで対応可能(IGBT 7) ■過負荷時のTvjopは最大175℃(TRENCHSTOP IGBT7) ■PressFITコントロールピンとねじ止めパワー端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
当製品は、PressFITコンタクト技術、内蔵NTC温度センサー搭載、 熱伝導材料(TIM)塗布済みの1200 Vアプリケーション向けEasyDUAL 2B CoolSiC MOSFETハーフブリッジモジュールです。 既存のフットプリントで定格電力を拡大。EV充電、無停電電源装置(UPS)、 燃料電池などのアプリケーションが対象です。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高さ12 mmに統一された最高クラスのパッケージ ■先端WBG材料とEasyPACK モジュールパッケージの組合せ ■きわめて低い浮遊インダクタンス ■進化したCoolSiC MOSFET MH1技術 ■推奨ゲート駆動電圧範囲を15～18 Vおよび 0～-5 Vに拡大 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
