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「EasyPACK 2B IGBTモジュール」は、IGBT4とEmitter-controlled 4ダイオードを搭載している製品です。 「EasyBRIDGE 2200V 整流器モジュール」は、2.2 kV整流 ダイオードを搭載し、Easy 1Bパッケージに収められています。 どちらのモジュールも、熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布されており、 お客様は生産工程でサーマルグリスを扱う必要がなくなり、高い自動化 レベルを実現可能です。 【特長】 ＜EasyPACK 2Bパッケージ＞ ■IGBT4 チップ世代 ■Emitter-controlled 4ダイオード ■1700V、75A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『FS3L400R10W3S7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品 ラインアップに新たに加わった製品です。 ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を 低減します。 【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■1200 V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ■3つの最大電力点追従制御(MPPT)を搭載した3レベルブーストトポロジー ■モジュールの高さ：12mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「AIROC CYW20835 Bluetooth LE SoC」をご紹介いたします。 IoTアプリケーション向けのBluetooth 5.2コア仕様に準拠したデバイス。 高集積化により外付け部品を最小限に抑え、デバイスのフットプリントと Bluetooth Low Energyソリューションの実装に伴うコストを削減します。 【特長】 ■Bluetooth 5.2コア仕様に準拠したデバイス ■高集積化により外付け部品を最小限に抑制 ■デバイスのフットプリントとBluetooth Low Energyソリューションの 実装に伴うコストを削減 ■Bluetooth Low Energyのユースケースにすべて対応するよう設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「MOTIX BTN9970LV ドライバー」をご紹介いたします。 1つのパッケージにpチャンネルのハイサイドMOSFETとnチャンネルの ローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることができます。 【特長】 ■AEC-Q100/Q006準拠(グレード1) ■電源電圧範囲：8V～18V(最大40V) ■低消費電流：最大3.3μA@85℃ ■過電流検出レベル60A min ■保護機能：過電流保護、低電圧検出、過熱保護 ■放射ノイズを最適化する8種類の選択可能な出力スルーレート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の、モーターコントローラー『iMOTION IMC300ファミリー』の 新パッケージバリエーションをご紹介いたします。 iMC100ファミリーの高効率モーター制御機能に加え、 マイクロコントローラーを組み合わせて、アプリケーションにおける 柔軟性を最大限に高めています。 また、IMC300シリーズに、新たなパッケージ(QFP-48)が加わりました。 QFP-48パッケージは、ピン数が少ないため、スペースに制約のある設計 でも使用できます。 【特長】 ■新世代モーションコントロールエンジン(MCE 2.0) ■ブースト型、またはトーテムポール型PFC向けオプション ■保護機能内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の、アナログ ターボMAPセンサー『XENSIV KP226E3408』を ご紹介いたします。 ±3.8kPaという高精度な圧力検出が可能で、車載アプリケーション (ECUなど)に好適。 高い精度、高い感度、安全機能は、産業用および民生用アプリケーション にも適しています。 【特長】 ■圧力範囲：15～400kPa ■温度範囲：-40℃～140℃ ■精度：3.8kPa ■断線検出 ■環境に配慮した8ピンSMDパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP22x』は、マニホールド空気圧測定用統合圧力センサーICです。 広い温度範囲にわたって優れた精度やレシオメトリックアナログ出力 などが特長。 吸気式またはターボ ディーゼルおよびガソリンエンジン管理システム に好適なソリューションです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP108』は、乗用車の側面衝突を検出するための圧力センサーシステムです。 圧力センサーは車のサイドドア内にあるモジュールに組み込まれており、 側面衝撃によりドアが圧縮されると、ドア内の圧力変化に比例した信号 パルスを提供。 信号パルスの高さは相対的な圧力変化に依存します。 したがって、出力信号は周囲圧力に依存しません。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP23x』は、容量性原理に基づいた小型絶対圧力センサーICです。 高精度で堅牢な設計により、当製品は自動車用途に好適。 モノリシックに統合された完全デジタル信号調整回路を備えた 表面微細加工が施されています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP21x/MAP』は、マニホールド空気圧(MAP)測定アプリケーション 向け統合圧力センサーICです。 吸気式またはターボ ディーゼルおよびガソリン エンジンの管理に 好適なソリューション。 広い温度範囲にわたって最⼤1.0kPaの優れた精度などが特長です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV PAS CO2』は、センサーとMEMSの先端の機能を活用した、 二酸化炭素(CO2)センサーです。 コンパクトな設計に加えて、優れた精度(読み取り値の±30ppm±3％) により、高いデータ品質を提供可能。 一般的なCO2センサーソリューションのサイズ、性能、組み立ての 課題を克服します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLx4966xG ファミリ』は、回転ポールホイールを使用するアプリケーション 向けの2つの出力ピンを備えたダブルホールラッチです。 方向検出のためのアルゴリズムの追加開発は不要。 内蔵の方向検出は信頼性が高く、各インデックスステップで有効な 方向信号を提供します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV TLI4971』は、双方向ACおよびDC測定用の高精度 電流センサーで構成された製品です。 当製品には、アナログインターフェイスと2つの高速過電流 検出出力があり、電源回路の保護をサポート。 磁気感知原理により、ガルバニック絶縁が提供されます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLE5045iC/TLE5046iC』は、GMRテクノロジーに基づく先進車輪速度センサーです。 コストを考慮して設計された速度専⽤の「TLE5045iC」と、⽅向検出だけでなく 真のゼロ速度機能と⾃⼰診断の可能性も提供するハイエンド 「TLE5046iC」。 ASIL‑Bを満たし、ASIL‑DシステムをサポートするためにISO 26262に従って 開発されています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV TLE4999I3』は、安全性が重要な自動車および産業アプリケーション の要件を満たすように設計されたデュアルチャネルリニアホールセンサーです。 多様性を確保するために、センサーセルは相補的な方法で設計。 各信号パスには独自のデジタル信号処理ユニットがあり、それぞれ最大限の 独立性と冗長性を確保します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV TLE4988C』は、高度なカムシャフトセンシング性能と改善 されたアプリケーション適応性を備えています。 高度なパフォーマンスによりレアアースへの依存を軽減。 フェライト バックバイアス マグネットを使⽤することで、重要な温度、 エアギャップ、rpm範囲にわたる位相ジッター、位相精度などのすべての 関連パラメータに対して適切な性能を発揮することが証明されています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV TLE4973』は、0Aから最大2,000AまでのACおよびDC電流の一方向 または双方向測定用の高精度コアレス電流センサーファミリです。 ASIL B製品として分類されているため、自動車アプリケーションでの 使用に好適。 全タイプに内部異常監視のための自己診断機能が付いています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV TLE4972』は、特に車載アプリケーションにおける電流検出の 要件に対応する磁気電流センサーです。 ハイブリッド車やバッテリ駆動まで使用されるトラクションインバータや バッテリメインスイッチなどxEVアプリケーションに好適。 十分に確立された堅牢なホール技術により、電流によって誘導される 磁場の正確かつ直線性の高い電流測定が可能になります。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『シリアルnvSRAM』は、電源がオフになったり切断されたりしても、 書き込まれたデータが保持されるSRAMです。 EEPROM、FRAM、バッテリバックアップ式シリアルSRAM、または64Kビット から最大1Mビットの密度の不揮発性シリアルメモリのニーズを満たす ために使⽤されるその他のハイブリッドソリューションを簡単に 置き換えることができます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う、耐放射線不揮発性「SPI F‑RAM」をご紹介します。 センサーや機器のデータストレージ、衛星の校正データのデータロギング、 およびプロセッサのブートコードアプリケーションに好適。 事実上無限の耐久性、即時不揮発性書き込みテクノロジー、100年以上の データ保持、シングル イベント アップセット(SEU)の影響を受けない機能は、 宇宙アプリケーション向けの信頼性の高い不揮発性メモリです。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『nvSRAM』は、サイプレスの世界を牽引するSRAMテクノロジーと クラス最大級のSONOS不揮発性テクノロジーという2つの主力 CMOSテクノロジーを1つの強力な製品ラインに組み合わせています。 システムでは、当製品は従来のSRAMとまったく同じように動作。 TSOP、FBGA、SSOP、SOIC パッケージなどの業界標準のRoHS準拠の パッケージオプションで提供されます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP276』は、顧客が新たなCO2の目標を達成できるようにする正確な デジタルターボMAPセンサーです。 ヨウ素などの攻撃的な媒体から保護されており、過酷な条件下でも 高品質と長寿命を保証。 改良されたSENTインターフェイスを使用するする当製品は、使いやすく、 通信も高速です。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
3D⾶⾏時間(ToF)は、周囲の優れたデータを提供します。 すべてのピクセルの距離情報とグレースケール2D画像は、様々な光条件下で 正確かつ堅牢です。この⼝径の3D データは、多種多様なアプリケーションに おけるまったく新しい機能とユースケースへの道を開きます。 詳細は、掲載カタログにて是非ご覧ください。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
ADASをサポートする車室内センシングでの、3D飛行時間型イメージャ 「REAL3TM」の使⽤についてご紹介いたします。 当製品を使用し、インストルメントクラスター内に配置された 直接対面ToFカメラシステムは、ドライバーの状態を観察。 必要に応じてドライバー支援システムを適応させるための正確な情報を 提供します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KP200/201/204』は、乗用車の側面衝突や歩行者の衝撃を検出する ための完全にモノリシックに統合された圧力センサーです。 適用サイドエアバッグでは、ドア内の圧力変化に比例した信号パルスを生成。 歩行者保護用途では、フロントバンパーにあるチューブの両端にある モジュールに2つの圧力センサーが組み込まれています。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EVAL_PS_DP_MAIN』は、TO-247 3ピンまたは4ピンパッケージに搭載された 600V～1200V用の汎用ディスクリート品の評価プラットフォームです。 EiceDRIVERゲートドライバICなどのユニバーサル基板の評価 プラットフォームは、TO247-3/4パッケージのディスクリート 製品の駆動オプションを実証するために開発。 こうしたオプションを示すために、本マザーボードと、 現在は2つのドライブカードに分割されています。 【特長】 ■VCC2ゲートドライブ電源電圧-5V～＋20V ■＋5Vでの固定VCC1電源 ■SMA-BNCコネクタ経由のゲート接続 ■オプションの同軸シャントを使用した電流計測 ■最適化された通信ループ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF-ICL5102-U130W-CC』は、130W LEDドライバー用評価ボードで、 優れた入力電源品質とLLCトランス内蔵設計になっています。 76Vから38Vまでの電圧範囲で定電流出力が可能な130W SMPS LED電源。 500msの高速点灯、267VRMSの20％負荷時に0.9以上の高力率、267VRMSの 10％負荷時に10％以下の入力電流THDなどがあります。 【特長】 ■入力電圧範囲：90-267VAC ■入力電圧周波数：45-65Hz ■100％～1％のアナログ調光 ■点灯までの時間：tT2L＜500ms@90VAC ■公称負荷時の効率：230VRMSで93.0％以上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF_ICL5102_U100W_LCC』は、出力電力100Wで、ICL5102を搭載した ハーフブリッジ(HB)ドライバーと、コスト効率の高いCoolMOS P7ファミリーの 優れた電力品質と高周波性能を評価することができます。 ハーフブリッジドライバーが対応する周波数範囲をフルに活用し、 非常にコンパクトなLCCトランスを実現。 このトランスは、LCC共振槽の直列インダクタンスを内蔵しています。 【特長】 ■スマートな高周波動作：180-450kHz ■力率：0.9以上@30％負荷、267VRMSの場合 ■入力電流THD：10％未満@20％負荷、267VRMSの場合 ■入力電圧範囲：90〜267VAC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EVAL-PSIR2085』は、EVAL-1ED3122MX12HなどのEiceDRIVER 絶縁型ゲートドライバ評価ボードに電源を供給するために 開発された標準の電源ボードです。 MOSFET,IGBT,SiC MOSFETなどのパワー半導体が搭載されている 様々なEiceDRIVER絶縁型ゲートドライバ評価ボードに対応します。 【特長】 ■2つの絶縁された電源 ■ゲートドライバの一次側用電源として、VCC1 (3.3 V)、GND ■ハイサイド ゲートドライバの二次側用電源として、 VCC2_HS、GND_HS、VEE2_HS ■ローサイド ゲートドライバの二次側用電源として、 VCC2_LS、GND_LS、VEE2_LS ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MOTORCONTROLKIT_12V』は、市場で実績のあるチップセットが搭載されて おり、組み立て済みのため、すぐにモーターを回転させることができます。 ポンプやファンなどの低電圧モーター制御アプリケーションの 迅速な試作と評価ができるよう設計。 サンプルソフトウェアを含む組み立て済みのキットで、 迅速な初期評価が可能です。 【TLE9879 EVALKITの特長】 ■N-MOS 3相ブリッジ ■GND接続のシングルシャント ■内蔵LIN (デバイス内) ■J-Link経由の仮想Comポート ■デバッグ用LED ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLE9185QX/TLE9185QXV33』は、BDLCモーター制御用ハーフブリッジ3個、 電流センスアンプ1個、32ビットSPIインターフェース1個などの機能を 備えています。 また、診断機能や監視機能も備えており、それぞれ5.0Vと3.3Vの マイコンで動作するように設計。 保護/診断のためのゲイン設定が可能なローサイド電流センスアンプ (CSA)を1つ搭載しています。 【特長】 ■外付けNch MOSFET用の、3つのハーフブリッジゲートドライバ ■設定/可能なウェイクアップソース ■最大25kHzのPWM周波数を持つ6つのPWM入力 ■ノーマルモード、ストップモード、スリープモードでの 定期的なサイクリックウェイクアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IPT008N06NM5LF(0.8mΩc、60V)とIPT013N08NM5LF(1.3mΩ、80V)は、 いずれも25℃で同クラス最高水準のRDS(on)と広い安全動作領域(SOA)を 実現しています。 TOLLパッケージと組み合わせることにより、ホットスワップ、e-fuse、 テレコムやバッテリー管理システム(BMS)で一般的に見られる保護アプリ ケーションなどの高突入電流アプリケーションをターゲットにしています。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低いRDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■TO-リードレス(TOLL)パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TRENCHSTOP 5』は、太陽光発電に対するユーザーの要求を満たす 好適なIGBTパワーモジュールです。 DC1000Vの太陽光発電用単相NPC1モジュールで、優れた性能と完全な 無効電力制御(PVインバータ)という2つの利点を活かすことが可能。 150kVAまでの3相3レベルのNPC1モジュールを提供。 さらに、DC1000V用三相NPC1モジュールでは、40kVAまでの出力に対応します。 【特長】 ■650V TRENCHSTOP 5 ■PressFITピンを備えたEasy 3Bパッケージ ■cosφ＝0,8 ■T1/T4はS5チップ(400A)、T2/TT3はL5チップ(300A) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「XENSIV TLE4972」は、AEC-Q100に準拠したAC/DC測定用の 高精度小型コアレス磁気センサーです。 測定対象の電流から発生する磁界に比例したアナログ電圧を出力。 また、過電流検出用に2つのデジタル出力を備えています。 インフィニオンの実績ある堅牢なモノリシックホール技術により、 電流が作る磁界に対して高精度、且つ高い直線性の電流測定が可能です。 【特長】 ■高精度コアレス磁気電流センサー ■独立した2つの過電流検出端子 ■ゲインおよび過電流の閾値がプログラム可能 ■ISO 26262準拠により、ASIL Bまでの安全要求に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「EXCELON F-RAM」は、シリアルNVRAM(不揮発性メモリー)を実現し、 ミッションクリティカルなデータ取得に、優れた性能と信頼性を提供します。 高速不揮発性データロギング用の小PINSPIおよびQuad SPI(QSPI) インターフェイスを備え、産業用や自動車用など、極端な温度の 過酷な環境下での使用も可能です。 【特長】 ■動作温度：1.8V～3.6Vおよび1.71V～1.89V ■専用256バイト special sector F-RAM ■24ボールFBGAパッケージでの提供 ■動作温度0℃～＋70℃(突入電流制御付きF-RAMの場合)、 -40℃～＋85℃、-40℃～＋105℃ ■データ保持：＋85℃で10年、1014サイクルの耐久性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『1100V/30A パワーIGBT』は、シングルエンド共振トポロジーを使用する 誘導加熱アプリケーションの厳しい要件を満たすよう設計されています。 FE能力が向上し、R3世代の置き換えに適している製品。同製品クラスで 優れた導通損失とスイッチング損失がございます。 ソフトな整流向けに設計された低順方向電圧の強力な モノリシックボディダイオードです。 【特長】 ■ばらつきが非常に小さいパラメータ分布 ■高い堅牢性と安定した温度特性 ■非常に低いVCEsat ■VCEsatの正の温度係数により、容易にパラレルスイッチングが可能 ■低EMIノイズ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EiceDRIVER X3 Compact (1ED31xx)』は、ミラークランプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns ■伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む) ■絶対最大出力電源電圧：40V ■ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
工事不要で使えるガス式の自動給油器。防爆エリア対応で廃棄も簡単
