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『TLE9012DQU』は、自動車(MHEV、HEV、PHEV、BEVなどの電気自動車)、 産業(蓄電システム)、民生(電子バイクBMS、ホームエネルギー貯蔵など)の 多くのアプリケーションで使用されるリチウムイオン電池パック向けに 設計したマルチチャンネル電池監視およびバランシング用ICです。 小型パッケージ(TQFP-48)と高い機能統合により、無駄のない外部BOMを実現。 最高クラスのアプリケーション堅牢性で、インフィニオンのテクノロジーと デバイス アーキテクチャは、ノイズ下で最高水準の性能を保証します。 【特長】 ■直列に接続された最大12個のバッテリーセルの電圧監視 ■ホットプラグ対応 ■各セル専用の16ビットΔΣADC、測定モードが選択可能 ■SoC(充電率)、SoH (健全度) 算出用の高精度な測定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLE9015DQU』は、リチウムイオンバッテリー内で複数の「TLE9012DQU」を デイジーチェーン接続するために設計されたバッテリー監視用トランシーバーICです。 面倒な設定なしでマスターオントップまたはマスターオンボトムを選択可能。 トランスやコモンモードチョーク不要で堅牢な通信ができ、 リングモードトポロジーにより低コストでシステム可用性を向上します。 【特長】 ■直列に接続された最大12個のバッテリーセルの電圧監視 ■リングモード トポロジー互換 ■ホストマイクロコントローラーとのシリアル通信用の2つのUARTポート ■他のBMS ICとの通信用に2つのiso UARTインターフェース ■2Mbit/sのデータ転送速度により高速通信が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『CIPOS Tiny 600V/15A』は、最大1.5HPのインバーター電力定格に、 最適化された性能とコンパクトなサイズで構成された三相IGBTベースの インテリジェントパワーモジュールです。 新しいスイッチおよびゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現。 実績があり、堅牢性が強化されたパッケージで高信頼性を提供いたします。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■TRENCHSTOP RC-D2 ■C5SOI 三相シングルゲートドライバー ■動作範囲：1～20kHz ■RC-D2の最大ジャンクション温度175℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う『FS3L200R10W3S7F_B94』は、Easy 3Bパッケージ搭載の 3レベルブーストモジュールです。 500W以上の出力に対応する両面発電PVモジュールに対応。 EasyPACKの高さが12mmで統一されているため、設計の際はMPPT段と インバーター段にEasy 1B、2B、3Bを簡単かつ柔軟に組み合わせることが 可能です。 【特長】 ■CoolSiC ショットキーダイオード ■950V Trenchstop IGBT7 ■高耐久性バイパスダイオード ■出力500W以上の二面PVモジュールに対応 ■デュアルブーストトポロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OPTIGA Authenticate S』は、強化されたデバイス認証と、柔軟な構成を 兼ね備えている偽造防止ターンキーソリューションです。 各製品に秘密鍵を付与することで、使用時の認証や、サプライチェーン 全体での製品の追跡が可能。 16種類の豊富なカスタマイズオプションにより、非常に複雑な認証要件にも 対応し、そのすべてをわずかな設置面積で実現します。 【特長】 ■4つのECC認証モード(一方向、相互、ホストバインディング、ホストサポート) ■独立したkill構造の4つのライフサイクルカウンター ■3種のサイズ(1K、2K、5Kbit)のロック可能な不揮発性メモリー ■3つの温度オプション(-40～85℃/-40～105℃/-40～120℃) ■2種類のシリアル通信オプション(オンチップSWI＆I2C+GPO) ■ホストコードソフトウェア-新しいOSライブラリー搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『IM69D127』は、インフィニオンの新しいシールドデュアルメンブレン MEMS技術に基づくデジタル高性能MEMSマイクロフォンです。 マイクロフォンレベルで高い防水／防塵性(IP57)を実現。 わずか3.6×2.5×1.0mmの小型サイズのため、TWSイヤホンなどの コンパクトなオーディオ機器に適しています。 【特長】 ■非常に低い自己雑音／非常に高いSNR(69dB) ■バッテリー省電力が求められるアプリケーション向けに 選択可能なパワーモード ■SDM(Sealed Dual Membrane)技術により、マイクレベルではIP57の 防塵性能を実現 ■小型パッケージサイズ(3.6×2.5×1.0mm) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『IM73A135』は、MEMSマイクに新しい性能ベンチマークを設定する XENSIV MEMSアナログマイクロフォンです。 73dBの最高クラスの信号対雑音比と135dBSPLの高音響過負荷ポイントにより、 小さい音から大きい音まで、クリアなオーディオの収音が可能。 インフィニオンの新しいシールドデュアルメンブレン(薄膜)MEMS技術に 基づいており、マイクロフォンレベルで高い防塵保護(IP57)を実現します。 【特長】 ■非常に低い自己雑音／非常に高いSNR(73dB) ■バッテリー省電力が求められるアプリケーション向けに 選択可能なパワーモード(170/70μA) ■SDM(Sealed Dual Membrane)技術により、マイクレベルではIP57の 防塵性能を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『PSoC 62S2評価キット』は、PSoC 62 MCU(CY8C624ABZI-S2D44)を使用した アプリケーションの評価/開発用のキットです。 ボードサポートパッケージ、各種ミドルウェアライブラリを含む ModusToolboxソフトウェアでサポートされる検証済みコード例をすぐに利用可能。 クラウド接続型およびスタンドアロン型MCUアプリケーションの 評価をサポートします。 【特長】 ■PSoC 62 MCU(CY8C624ABZI-S2D44)：150MHz Arm Cortex-M4 および100MHz Arm Cortex-M0+コア、2MBフラッシュ、1MB SRAM、 ハードウェア暗号アクセラレータ、豊富なアナログおよび デジタルペリフェラル、先端のCAPSENSEテクノロジーを搭載 ■オンボードプログラマ、デバッガ、ユーザーLED、ユーザボタン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EVAL_BIDI_HB_1EDN7550B』は、過電圧、低電圧保護機能を有している 非絶縁型双方向同期整流型降圧コンバーターです。 1EDNx550Bをハーフブリッジトポロジーでローサイドスイッチと ハイサイドスイッチの駆動に適用するのを目的に設計。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1EDN7550B TDI 双方向同期降圧段用 ■低電圧ロックアウト ■過電圧、低電圧保護機能 ■過電流保護 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF_Fridge_D111T_RC2_SL』は、冷蔵庫のコンプレッサー用に設計された すぐに使えるリファレンスPCBです。 iMOTION コントローラーによる容易な設計で、迅速な市場投入が可能。 単層基板の採用により、製造コストを低減します。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■iMOTION ドライバー IMD111T-6F040：スクリプトエンジンを使用可能なMCEと 6チャンネルSOIドライバーを搭載したすぐに使えるモーションコントローラー ■EMIと損失を最小限に抑えるRC-D2 600V IGBT ■システムソリューションにより、高集積化、柔軟な設計、低EMIを実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF-SHA35WRC2SYS』は、メインボードに赤外線センサー付きドーターカードと、 適切なリモコンボックスで構成されるフル機能のスターターキットです。 メインボードにはIMD112T iMOTION ドライバーが搭載されており、現場で 実証済みのMCE(モーター制御エンジン)により、ターンキーPFCと モーター制御を提供。 また、コンパクトで費用対効果の高い単層設計向けのすぐにコピー可能な PCBを採用しています。 【特長】 ■入力電圧範囲120～300Vrms ■最大入力電力35W ■PFC係数≥0.9およびiTHD≤10％＠230Vrms ■PFCステージ搭載(最大60kHz) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『ダイオード ブリッジ整流器モジュール』は、サーボドライブ、 特にAC-ACパワーステージに適した製品です。 Easy1BパッケージにTRENCHSTOP(TM)IGBT 7を搭載し、チョッパー構成に なっており、ユーザーに優れた選択肢を提供。 新しいマイクロパターントレンチ技術に基づく1600V整流ダイオード、 IGBT、ブレーキチョッパー ダイオードは、ドライブアプリケーション 向けに最適化されています。 【特長】 ■Easy1Bパッケージ ■1600V/50A ■PressFITピン、またははんだピンソリューション ■熱伝導材料(TIM)塗布の選択が可能 ■高さ12mmの完全なポートフォリオ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『電圧レギュレーター モジュール』は、設計が容易な完全集積型の 3A降圧型コンバータです。 コンパクトな設計で、広い入力電源範囲において高効率の負荷および ラインレギュレーションを実現。インダクタとコンデンサーを内蔵 しているため、外付け部品が少なくて済み、基板面積を80％削減。 そのため、寄生パラメータを最小限に抑えながら、 より高い電力密度を実現します。 【特長】 ■シャットダウン時の消費電流10μA ■強制連続導通モードオプション ■熱補正済み内部過電流保護機能 ■高精度基準電圧(0.5V±1.0％) ■鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHS 6に準拠 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社の『車載向けLEDライト用DC-DCコントローラー』は、自動車の 外部/内部照明用の診断/保護機能を内蔵した、デュアルチャネル構成です。 PMOSを用いたハイサイド負荷遮断で確実な保護を実現。 チャンネルごとにブースト、バック、バックブースト、SEPIC、 フライバックトポロジーが設定可能で、出力電流/電圧は一定です。 【特長】 ■デュアルチャンネルピーク電流モードコントローラー ■PWM調光および出力遮断用の高集積PMOSゲートドライバー ■逆位相のチャネル ■広い入力電圧範囲：4.5V～60V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『1200V MOSFETパワー モジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから 進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。 推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を 大幅に拡大。また、オーバーシュートとアンダーシュートをカバーする ために最大ゲートソース電圧を+23Vと-10Vに拡大しています。 VGS(th)の安定性向上により、スイッチング時のドリフトを大幅に低減し、 同時にRDSon性能を125℃で約12％向上しました。なお、デバイスの 基本コンセプトは変わらず、セルレイアウトやサイズにも変更はありません。 【特長】 ■Easy 1B、2B、3Bパッケージ ■1200V CoolSiC MOSFETM1H(強化型第1世代) ■最大ゲートソース間電圧+23V～-10Vに拡大 ■6パック、3レベルまたはハーフブリッジ構成 ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『1700V IGBTパワー モジュール』は、一般的なIGBT世代に比べて、 同じフレームサイズでインバータ出力電流が最大40％向上します。 大型ダイオード(1200A)を搭載し、風力発電や静止型VAR発電機(SVG)用途に 最適化。モジュールの電力密度が高いため、IGBTモジュールの並列配置を 避けることができ、インバータ設計の簡素化とコスト低減につながります。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■225A、750A、900A ■ハーフブリッジ構成 ■TRENCHSTOP IGBT7 ■改良型EconoDUAL 3パッケージ ■過負荷時最大温度175°C ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当製品は、IGBTパワー半導体を使用した大電力システムの現在 から将来までのさまざまな要件を満たすよう設計されています。 外気に対する堅牢性、幅広いクランプ力を実現。 この新しいプレスパックIGBTは、フリーホイーリングダイオード 内蔵品は定格2000A品、非内蔵品で定格3000A品をご用意しており、 対象アプリケーションに併せて好適設計されています。 【特長】 ■4.5kV Trench IGBTチップ ■長期にわたる故障時短絡特性 ■圧接設計 ■密封パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「OPTIGA(TM) Connect Consumer」は、GSMAのモバイル コンシューマー機器向け技術仕様を実装したeSIMです。 ターンキーソリューションにより、デザインインと認定にかかる労力を削減。 スマートウォッチ、フィットネストラッカー、そのほかのウェアラブル端末の 小型デバイスにセルラー接続を拡張するのに適しています。 【特長】 ■ネットワーク技術2G、3G、4G(LTE)、5Gに準拠 ■ネットワークアクセスアプリケーションSIM、USIM、CSIM、RUIM、ISIM ■GSMA SGP.22 v2.2.2準拠のリモートSIMプロビジョニング(RSP) ■Trusted Connectivity Alliance(TCA) eUICC Profile Package V2.3準拠 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MEMSマイク』は、インフィニオンの新しいシールドデュアルメンブレン MEMS技術をベースにしており、マイクロフォンレベルで高い耐環境性(IP57)を 実現しています。 フラットな周波数特性(20Hzの低周波ロールオフ)と少ない製造公差により、 マルチマイクロホン(アレイ)アプリケーションの性能を向上。 クロック周波数と消費電流の要件に合わせて、さまざまな電源モードを選択する ことができます。 【特長】 ■非常に低い自己雑音/非常に高いSNR(72dB) ■非常に少ない製品間の位相と感度のマッチング(±1dB) ■フラットな周波数特性で、LFRO(低域ロールオフ)は20Hzと非常に低い ■非常に低い群遅延(7μs @ 1kHz) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい
『OPTIGA(TM) Trust X』は、産業用オートメーション・システム、 スマート・ホーム、家電機器、医療機器に向けたターンキー・ セキュリティ・ソリューションです。 高性能のセキュリティを自社資産に簡単かつリーズナブルに 導入できるように、システム側の実装をフルにサポートしています。 自社の機器に本製品を実装すると、ブランドとビジネス・ケースを守り、 競合他社から自社製品を差別化して、サイバー攻撃に対してより強固になります。 【特長】 ■ネットワーク化される機器(IoT)向けのセキュリティ強化 ■実装が容易 ■リーズナブルな導入 ■新しい機能やビジネス・モデルの有効化 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『OPTIGA(TM) Trust B』は、信頼できる認証機能を簡単に実装したい組込み システムに向けた、強固な暗号ソリューションです。 純正品の信ぴょう性や完全性、安全性を守りたいシステム・メーカー向けに 設計されています。 また、優れた模造品対策となるため、OEMが純正品の信ぴょう性を維持し、 ブランドやビジネスモデルを守る助けとなります。 【特長】 ■低コストのシングル・チップ・ソリューション ■非対称暗号とチップ個別の鍵による高いセキュリティ ■開発が容易なターンキー・デザイン ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『OPTIGA(TM) Trust E』は、システム側の実装をフルにサポートした、 簡単でリーズナブルな高性能ターンキー型セキュリティ・モジュールです。 サービスやビジネス・モデル、ユーザ・エクスペリエンスのプロテクション といった幅広い用途をサポート。 一方向認証機能が対象物を識別し、PKI(公開鍵基盤)ネットワークを守ります。 【特長】 ■設計や開発の労力削減 ■IPやデータの保護 ■ビジネス・モデルやブランド・イメージの保護 ■品質と安全性の保護 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『OPTIGA(TM) TPM』は、組込みネットワークでのデバイスやシステムの 整合性と信ぴょう性を保護する、標準化されたセキュリティ・モジュールです。 実績あるTPM1.2やTPM2.0への対応により、鍵や証明書、パスワード用の セキュア・ストレージに加えて、専用の鍵管理機能を採り入れています。 【特長】 ■規格化されたシステムのため低リスク ■短期間での市場投入が可能 ■優れた鍵管理をはじめとする幅広いセキュリティ機能による柔軟性 ■コンピュータ・プラットフォームへの実装が容易 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『EiceDRIVER』は、強化絶縁を有するX3アナログおよび デジタルドライバファミリーです。 従来の製品と同様に小型の8ピンパッケージに、ソース・シンクの 出力が個別に配置されたタイプのものか、出力を共有し、残りのピンを ミラークランプとして使うものかを選択頂くことが可能で、新たに VDE-0884-11を取得して既存のラインアップを拡充しています。 このファミリーはシンク・ソース共に最大14A、また優れた伝搬遅延 マッチング（最大7ns）を備えています。 【特長】 ■VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ■IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブ ミラークランプ ■沿面距離が長い（>8mm）DSO-8 300milワイドボディパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XDPS2201』は、マルチモードでデジタル・コンフィギュラブルな ハイブリッド・フライバック・コントローラです。 従来のフライバックトポロジーのシンプルさと、共振コンバータの 性能を兼ね備えています。 一次側ではZVS、二次側ではZCSを、正負両方の磁化電流を調整 することで実現し、効率を高めています。また、トランスの漏れ 電流を再利用することで、さらなる高効率化を実現しています。 【特長】 ■広いACライン入力電圧範囲に対応 ■マルチモード動作による高効率化 ■ハイサイドドライバ内蔵 ■スナバレス設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ドライブ、トラクション、トランスミッションなどの産業用 アプリケーションの現在および将来の要件に対応するため、 定評ある「IHV-B 3.3kVシングルスイッチIGBTモジュール」が 大幅に改善されました。 TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載。 過負荷や故障に対する比類ない堅牢性を有し、フレームサイズの 小型化が可能です。 【特長】 ■標準化されたIHV Bパッケージ190mmまたは130mm ■最高クラスの短絡耐量 ■新しい3.3kV IGBT4チップを8インチウェハ技術で実現 ■基板レイアウトとチップ面積の最適化 ■競合製品やIGBT3に比べ、電源のOn/Off制御が2倍向上 ■CTI > 600のパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLE493D-P2B6』は、インフィニオンのテスト工程の強化に基づき、 「TLE493D-W2B6」の技術的性能を向上させた自動車用3次元磁気 ホールセンサです。 ウェイクアップモードによりシステムの消費電力が非常に低く、 バッテリーのランタイムを延長し、システムの消費電力をきわめて低減。 デバイスの設定変更により、幅広いプラットフォームへの横展開が可能で、 内蔵診断機能により、機能安全をサポートします。 【特長】 ■3D（X、Y、Z）磁束密度センシング：最大±160 mT ■プログラム可能な磁束分解能：～65 μT（typ.） ■X-Y角測定モード ■センサー内部回路の故障可否をチェックする診断測定機能 ■消費電力7nA（typ.）のWake Up機能およびパワーダウンモード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『TLV493D-A2BW』は、超低消費電力で高精度な3次元 センシングが可能な磁気式3次元センサです。 小型のWLBパッケージに封入されており、磁界のx、y、z成分を 直接測定することが可能。 当製品は、ハロゲンフリーパッケージと超小型サイズを実現し、 設計の自由度を高めています。 【特長】 ■3D磁気測定原理により実装部品数削減 ■センサーの小型形状により、きわめてコンパクトなシステム設計が可能 ■高い柔軟性により、幅広いアプリケーションに対応可能 ■デバイスの設定変更が可能なことによる、プラットフォームを調整可能 ■外乱ノイズに強い設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社では、5GおよびLTEアプリケーション向けLNA 『BGA9x1MN9ファミリー』を取り扱っております。 「BGA9C1MN9」は、2μAの超低バイパス電流と1.2Vの 動作電圧に対応し、消費電力を低減しています。 全温度範囲で1.1V～2.0Vの電源電圧で動作。 9ピンの小型TSNP-9パッケージ（1.1×1.1mm）を採用し、 プリント基板の省スペース化を図っています。 【特長】 ■他社のモジュールよりも低いNF ■消費電流が約半分 ■フィルター供給の自由度が高い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『FF600R12KT4』は、標準的な62mmのパッケージで、高い電力密度を 実現し、高速トレンチIGBT4チップを搭載したパワーモジュールです。 ドライブ、UPS、ソーラーアプリケーション向けに設計。 当製品の導入により、IGBT4 62mmモジュールのラインアップは、 高速トレンチIGBTを搭載した200A、300A、450A、600Aの定格電力を 提供することになります。 【特長】 ■600A/1200V ■高速トレンチIGBT4チップテクノロジー ■Tjop_max=150°C ■絶縁されたベースプレートを使用した62mmモジュールデザイン ■堅牢な標準パッケージ、ネジ止め端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『IPM IM818-LCC』は、高性能CIPOS Maxiのトランスファーモールドです。 6個のTRENCHSTOP IGBT4を、最適化された1200V 6チャネル SOIゲートドライバと共に集積化することで信頼性の向上、 優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。 全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、 上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を 提供します。 【特長】 ■優れた保護のために堅牢性を強化したゲートドライバ技術 ■高い効率 ■最大80kHzの速いスイッチング速度 ■低電力損失で高速スイッチングアプリケーションに適合 ■設計および製造の簡素化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社が取り扱うインフィニオンパワーダイオード 『38DN06B02/46DN06B02』をご紹介します。 新しい溶接用ダイオードは、中周波抵抗溶接や大電流整流器の アプリケーションを想定し、損失を改善した設計になっています。 オン電圧が低いため、インフィニオンの従来品である「38DN06」や 「46DN06」に比べて約10～15%高い、大電流が可能になります。 【特長】 ■従来品に比べて最大で10～15％高い順方向電流 ■低損失 ■高い信頼性 ■最高クラスのパワーサイクル性能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF_FRIDGE_D111T_MOS』は、iMOTION SmartDriver IMD111Tと 600V CoolMOSを搭載した冷蔵庫用ロータリーコンプレッサードライブを 効率的に制御するためのリファレンスボードです。 センサーレスの磁界方向制御（FOC）用の周辺部品を全て備えており、 単相ACコネクタ、整流器、モータ接続用の三相出力を備えています。 また、パワーステージは、電流検出用のエミッタシャントと、 DCリンク電圧測定用の分圧器を備えています。 【特長】 ■iMOTION Smart Driver IMD111T-6F040や600V CoolMOSを搭載した 高集積ソリューション ■スクリプトエンジンと6チャンネルを搭載したすぐに使える モーションコントローラ ■600V CoolMOS PFD7:低Qrr、ESD保護を備えた、コンパクトな SOT-223面実装デバイス（SMD）パッケージの最適化技術 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF_TW_BCR601_55V_0.5A』は、リニアレギュレータを使用した 調光可能な白色LEDドライバのリファレンスデザインです。 BCR601やBCR602リニアレギュレータを使用して、リップルや 一時的な変動のない、きわめて安定したLED電流を供給します。 その結果、フリッカーやストロボ効果のような乱れのない光出力が 得られます。 【特長】 ■BCR601はマスタコントローラとして、両チャンネルの 電圧オーバーヘッドと一方のチャンネルの電流を制御 ■BCR602はスレーブコントローラとして、2チャンネル目の電流を制御 ■BJTまたはNチャネルMOSFETのいずれかで動作可能 ■アナログ調光は最大3%、PWM調光は最大1%（BCR602） ■電流精度±3 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV PAS CO2 Mini評価ボード』は、光音響分光法(PAS)を 用いたインフィニオンの革新的なCO2センサーモジュールです。 CO2センシングアプリケーションの迅速なプロトタイピングと 設計が可能。 標準的なピンヘッダーを使用しているため、ターゲットとなる アプリケーションボードに簡単にプラグインでき、柔軟なPCB設計を 行うことができます。 【特長】 ■「XENSIV PAS CO2 Sensor2Go評価キット」と互換性があり、 ラボでの評価が簡単 ■標準の2.54mmピンヘッダでアプリケーションボードに簡単に 接続でき、リフロー工程が不要 ■製品のすべての信号と機能にアクセス可能 ■将来使用できるように、リフロー実装に対応した複合基板レイアウト ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『XENSIV PAS CO2 Sensor2Go評価キット』は、光音響分光法(PAS)を 用いたインフィニオンの革新的なCO2センサーを迅速かつ容易に 評価できるよう開発されました。 XENSIVIM PAS CO2センサーの性能評価をプラグ&プレイで簡単に実現。 ppm単位でCO2測定結果を直接読み出しします。 評価キットの内容は、評価マザーボードやMini評価ボード、 Micro-USB ケーブル、インフィニオンのツールボックスから ダウンロード可能なソフトウェアをご用意しております。 【特長】 ■プラグ&プレイ：マイクロUSBでPCに直接接続 ■すべての電源を基板上で生成 ■センサーの履歴を記録 ■センサーの主要機能をすべて利用可能 ■I2C経由でデバイスにアクセス可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『2L-SRC Compact（1ED32xx）』は、2レベルのスルーレート制御により、 オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル 絶縁型ゲートドライバファミリーです。 当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを 制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiCのMOSFETに対応 ■最大出力電流18A ■出力間伝播遅延マッチング1ns ■絶対最大出力電源電圧40V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EiceDRIVER 1EDBファミリー』は、3kVrmsの入出力間絶縁を備えた 1チャネルのゲートドライバICです。 +4/- 6 nsの伝搬遅延精度を備え、システムレベルでの高効率が求められる 高速スイッチングアプリケーションに好適。 また、システムの省電力化に対応するため、コモンモード過渡耐性（CMTI）は 300V/nsを超えており、出力ステージのクランプ速度は20nsと高速で、出力段の 低電圧誤動作防止機能（UVLO）は、4V、8V、12V、15Vから選択できます。 【特長】 ■3 kVrmsのガルバニック絶縁 ■低インピーダンス、ソース出力とシンク出力が可能 ■伝搬遅延精度：+4/- 6ns ■コモンモード過渡耐性：300V/n ■4V、8V、12V、15VのUVLOオプション ■出力クランプ速度：20 ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『FZ1800R45HL4/FZ1800R45HL4_S7』は、IGBT4搭載IHV-B 4.5kV シングルスイッチモジュールです。 新しい4.5kVチップ世代の8インチ ウェハ技術を採用しており、 送配電や産業用ドライブに好適。 両モジュールとも同じサイズで出力が50%向上するため、 システム設計者にとってコスト削減につながります。 【特長】 ■新しい4.5kVチップを8インチウェハ技術で実現 ■トレンチ/フィールドストップ1GBT4、エミッタ制御4ダイオード ■高いTCおよびPC耐量と高い宇宙放射線耐性 ■_ST機能により、Vectsanを18%低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EV充電用のEasyPACK CoolSiC MOSFETパワーモジュールと CoolSiCショットキーダイオードを搭載したEasyBRIDGEについて ご紹介します。 75kWまでのスケーラブルなDC EVチャージャーの設計に好適。 インフィニオンは、Easy 2BパッケージでRDSonが11mΩおよび 15mΩ、ならびにEasy 1BパッケージでRDSonが23mΩおよび 45mΩのHブリッジモジュールを提供しています。 【特長】 ■Easy 1Bおよび2Bパッケージ ■1200V ■最高クラスのCoolSiC MOSFETテクノロジー ■改善されたピン配列 ■PressFITテクノロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「TLE92104-131QX」と「TLE92104-232QX」は、先日発表した TLE92108に続く、マルチMOSFETドライバICファミリーの 新製品です。 "TLE92104"は、1つのデバイスで最大4つのハーフブリッジを制御できるよう 設計されており、対象となるアプリケーションは、パワーシートモジュールや パワークロー ジャーシステムなどの車載用DCモータです。 24ビットのシリアルパラレルインターフェースにより、デバイスの設定や ハーフブリッジの制御が可能で、幅広い診断機能も備えています。 【特長】 ■最大4つのハーフブリッジ（8個のnチャネル）MOSFETドライバ出力 ■アダプティブマルチステージMOSFETゲート制御 ■3つのPWM入力と、最大2つのフレキシブルな電流センスアンプ ■優れた保護コンセプト（詳細なオフ状態の診断機能など） ■設計自由度の高さ ■コストとボード面積を削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
