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インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
本製品ファミリーは、高速COTエンジンを搭載しており、Vout制限を 向上させコンデンサーを節約し、より高いfsw(最大2MHz)を可能にして 集積度を高めています。 インフィニオンOptiMOS 5 MOSFETは、小さなフットプリントでベンチマーク となる効率性を実現。 主電源電圧が3.3Vおよび5V、コア電圧が1V、エアフローなしでTamb≧85℃ といった熱的制約のあるアプリケーションにおいて、電力損失を低減します。 【特長】 ■インフィニオンのFASTコンスタントオンタイムエンジンとフロアコントロール ■新しいインフィニオン製MOSFET(OptiMOS 5)を搭載し、効率性を向上 ■4mm x 5mmの小さなフットプリントで30Aの熱伝導性を実現 ■高いスイッチング周波数(fmax 2 MHz)による高密度化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『PSoC 61 CY8C61x4プログラマブル』製品ラインは、PSoC 6 MCU プラットフォームを使用し、Arm Cortex-M4 CPUを採用した高性能 マイクロコントローラーです。 低消費電力フラッシュテクノロジー、CapSense静電容量式センシング、 高性能で低消費電力のアナログペリフェラル、標準通信およびタイミング ペリフェラルを搭載。 ウェアラブル、スマートホーム、産業用IoT、ポータブル医療機器など、 IoTアプリケーション向けに設計されています。 【特長】 ■150MHz Arm Cortex-MF4 CPU、DMAコントローラ、暗号化アクセラレータ ■超低消費電力(0.9V)または低消費電力(1.1V)動作モード ■最大256KBのフラッシュメモリーと128KBのSRAM ■外部メモリー拡張用のQSPIフラッシュメモリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『CY8C62x4』は、様々なセンシングや汎用MCUアプリケーション向けに 演算能力、アナログおよびデジタルペリフェラル、通信インターフェース、 低消費電力アーキテクチャを適切に組み合わせています。 低消費電力でセキュアなCPUとしてArm Cortex-M0+を使用可能。 ハードウェアシーケンシング機能を備えた12ビットSAR ADCを2個搭載し、 同期アナログサンプリングアプリケーションを実現します。 【特長】 ■デュアルコアCPUアーキテクチャー：150MHzのArm Cor-tex-M4 および100MHzのArm Cortex-M0+ ■超低消費電力(0.9V)および低消費電力(1.1V)動作モード ■最大256KBのフラッシュと128KBのSRAM ■外部メモリ拡張用QSPIフラッシュメモリー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『BGA9H1BN6』は、2.5～2.7GHz(バンドn41)の3GPPバンドをカバーする 4Gおよび5Gアプリケーション向けに設計されたLNAです。 高いゲインと超低雑音指数により、一般的なLNAに比べてシステムの感度が 大幅に向上。GPIOインターフェースにより、複数の動作モードを簡単に 制御することができます。 また、消費電流2.2mA、動作電圧1.2Vの低電力モードにより、全体の消費電力は 極めて低く抑えられています。 【特長】 ■パワーゲイン：20.0 dB ■低雑音指数：0.5 dB ■低消費電流：最小2.2 mA ■周波数範囲：2.5～2.7 GHz ■電源電圧：1.1～3.3 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『HYPERRAM』は、スクラッチパッドやバッファリング目的の拡張メモリーを 必要とする高性能な組み込みシステム向けの、高速、少ピン数、低消費電力の セルフリフレシュ ダイナミックRAM(DRAM)です。 「HYPERRAM 2.0」は、JEDEC xSPI規格に準拠したHYPERBUSおよびOctal xSPI インターフェースに対応。 業界最小クラスの24ボールBGAパッケージ(6mm×8mm)で、拡張温度品(-40℃～ ＋105℃)を提供します。 【特長】 ■動作電圧範囲：1.7～2.0 V ■JEDEC xSPI規格に準拠したHYPERBUSおよびOctal xSPIインターフェース ■ダブル データ レート(DDR)のリード/ライトバンド幅：400MBps ■設定可能なバーストモード ■Deep Power Down：10 μA (max) ■Hybrid Deep Sleep：25 μA (typ) @ 85 ºC [256Mb] ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『SEMPER NORフラッシュメモリー』は、自動車、産業機器、通信基地局等の アプリケーションに必要とされる高性能と、業界最高クラスの機能安全と 信頼性を提供します。 ASIL-B準拠およびASIL-Dに対応可能。各パーティション領域は100万回以上の 書き込み/消去サイクルまたは最大25年間にわたりデータを保持できます。 また、幅広い温度範囲(-40℃～＋125℃)に対応しています。 【特長】 ■機能安全：ASIL-B 準拠 ■長期供給 ■ソリューションハブ - SDK、キット、その他のリソース ■エコシステム - チップセットとパートナーによるサポート ■電力密度：256 Mb、512 Mb、1 Gb、2 Gb、4 Gb ■電圧：1.8 V、3.0 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OPTIGA Trust M IoT セキュリティ開発キット』は、お客様のIoTデバイスの エンド ツー エンドのセキュリティユースケースを簡単に開発/評価できます。 フル機能のIoTアプリケーションを構築することが可能。 すべてのメインボードコンポーネントはインフィニオンから提供され、Modus Toolboxでサポートされています。 【特長】 ■OPTIGA Trust M IoTセキュリティ開発キット Adafruit Feather対応 ■OPTIGA Trust M、PSoC 62 MCU、AIROC Wi-Fi + Bluetooth combo搭載 ■2つのセキュリティユースケースを想定した設定済みキット ・AnyCloud MQTTによるAWSへの接続 ・CIRRENTによる安全なゼロタッチ クラウド プロビジョニング ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『IoTセンス拡張キット』は、低価格のArduino UNO互換シールドボードで、 様々なセンサーを簡単にPSoC 6 MCUプラットフォームに接続できます。 ModusToolbox Machine Learningソフトウェアと共に使用することが可能。 当社のデュアルバックプレートMEMS技術を採用し、105dBのダイナミック レンジと130dBSPLまでの高い直線性を実現した高性能XENSIV MEMSデジタル マイク2個を搭載しています。 【特長】 ■高精度で優れたノイズ耐性と高い安定性を備え、温度センサーを 内蔵したXENSIVデジタル気圧センサー ■高性能XENSIV MEMSデジタルマイク2個を搭載 ■3軸加速度センサー、ジャイロセンサー、地磁気センサーを 組み合わせた絶対方位センサー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OPTIGA TPM SLB 9672』は、将来を考えたOPTIGA TPMの製品です。 標準化、認証済みの本セキュリティソリューションは強固な基盤として機能し、 PCやサーバー、コネクテッドデバイスなどを識別および認証し、データの整合性と 機密性を保護。 機能が豊富で、現在および将来的なセキュリティ上の課題に対応する当製品は、 拡張メモリと一層強力になった暗号アルゴリズムを搭載しています。 【特長】 ■192ビットのセキュリティを備えたハイエンドの標準化済み セキュリティコントローラー ■ポスト量子暗号(PQC)で保護されたファームウェア アップデートメカニズム ■TCG TPM 2.0規格(Revision 1.59)の仕様に対応 ■TCG、CC、FIPS認証 ■Windows HLK認証 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MERUS MA5332MS』は、ヒートシンクなしでモノリシックな代替品以上の 出力を提供し、実装面積を50％削減したマルチチップモジュールです。 当製品ソリューションは、デュアルチャネルPWMコントローラー、 高電圧ゲートドライバー、および低RDS(ON)MOSFETを4つ集積。 また、様々な環境条件下で信頼性の高い動作を実現するために、クラスDの 保護機能を標準搭載しています。 【特長】 ■インフィニオンの業界最高レベルの低RDS(ON)中電圧MOSFETを搭載 ■高耐圧100V ■過電流保護、過熱保護、低電圧保護(セルフリセット機能付) ■同じ電力レベルのモノリシック方式に比べ、ヒートシンクレス ソリューションが可能 ■低電圧BTL方式からバスコンデンサや出力フィルタを削減した ハイパワーSE(シングルエンド)設計が可能 ■D級設計を簡素化し、外付け保護回路が不要 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『REF_MA5332BTLSPSリファレンスボード』は、ホームオーディオ用の BTL1チャンネル、200W/ch(4Ω at 40V)のD級オーディオパワーアンプです。 このリファレンスボードでは、MA5332M ICを単電源で使用する方法と、 インフィニオンの集積D級ICを使用した適切なPCBレイアウトの設計を実演。 本リファレンスデザインは、通常動作(連続定格電力の8分の1)において、 ヒートシンクやファンによる冷却を追加する必要はありません。 【特長】 ■出力：200W×1チャンネル(10％ THD+N、4Ω、40V時) ■複数の保護機能を搭載: ■過電流保護(OCP)、ハイサイドおよびローサイド ■過熱保護機能(OTP) ■PWM変調器：自励式ハーフブリッジトポロジー、オプションでクロック同期が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EVAL-HW65R62EDS06J』は、IH機器と100kHzまでの共振スイッチング アプリケーション向けに特別に設計された新しい650V逆導通RC IGBT ファミリー製品を搭載したハーフブリッジ誘導加熱評価ボードです。 インフィニオンのSOI技術に基づくレベルシフトEiceDRIVER TMICと組み合わせた R6 IGBTの機能および主要機能のデモンストレーションが可能。 ハーフブリッジトポロジーに基づく代表的なIHクッキングシステムを基板に反映します。 【特長】 ■入力電圧：180～270Vdc ■最大補助電源電圧：20Vdc ■公称出力：3kW ■新しい650V逆導通RC IGBT R6ファミリーを搭載 ■IGBT波形の容易な測定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『EVAL_AUDAMP25 評価ボード』は、Hi-Fiオーディオシステム用2チャンネル、 200 W/ch(±36.5 V時4Ω、ヒートシンク付)ハーフブリッジ方式の D級オーディオパワーアンプです。 本評価ボードでは、MA5332 ICの使用方法、保護回路の実装方法、インフィニオンの 集積D級ICを使用した適切なPCBレイアウト設計を実演。 このリファレンスデザインでは、通常動作(連続定格電力の8分の1)において、 ヒートシンクやファンによる冷却を追加する必要はありません。 【特長】 ■出力：200W×2チャンネル(10％THD+N、4Ω負荷、±36.5V時) ■複数の保護機能 ・高圧側および低圧側の過電流保護(OCP) ・過電圧保護(OVP) ・高圧側および低圧側の低電圧保護(UVP) ・DC保護(DCP) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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