弊社の専門技術に、ウエハーの貼り付けWafer Bonding、深掘り反応性イオンエッチング　Deep Reactive Ion Etching(DRIE)、そしてウエハー研磨があります。 このDRIEを使ってトレンチエッチと埋め込みサービスをバルクシリコンやSOIウエハーなどに適用し,お客様へ独自の誘電体絶縁基板を提供いたします。 SOI材料は、テレコミュニケーション製品や光学デバイス、ICの絶縁や無接点リレーやMEMSセンサー向けマイクロマシーン構造体、アクチュエーター、スイスの高級腕時計産業へのシリコンパーツなどといった、幅広い分野において適用されております。 10年以上の経験をもとに製造のスキルと最先端の技術開発によって、お客様がお問合せから製品供給までの優れたサービスを受けることができるようお応えしていきます。技術チームが革新的な製品開発のためのデザインやサービスを提供いたします。ISO 9001・ISO14001/IATF16949 を継続的に回しながら社員教育を重視し、高度な技術産業として最新技術が獲得できるように努めます。

【最終手段】 ■テレコミニケーション ■医療 ■自動車 ■家電 ■楽器 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【最終手段】 ■テレコミニケーション ■医療 ■自動車 ■家電 ■セキュリティー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【最終市場】 ■テレコミニケーション ■医療 ■自動車 ■家電 ■セキュリティー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他特長】 ■高い品質 ■低コスト ■低い欠陥密度 ■膜の均一性がよい ■マルチレイヤ― ■鋭い濃度遷移レベル ■10kΩ-cmまでの抵抗率 ■界面品質がよい（高解像サム検査による） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【最終市場】 ■テレコミニケーション ■医療 ■自動車 ■コンシューマー ■楽器 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【最終市場】 ■テレコミニケーション ■一般消費者向け ■電源 ■医療 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【その他特長】 ■同時になしえるウエハー当たりのダイ収量増加 ■高耐圧特性能力 ■カスタマイズされたトレンチパターン ■完全なデバイス隔離 ■従来のジャンクション隔離法と比較し著しくダイの縮小化を促進 ■従来のDI技術と比べ低い欠陥密度 ■バルクより低い基板キャパシタンス ■EPIによるトレンチ隔離より安いコスト ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【仕様】 ■ビア（貫通）のアスペクト比：<15：1 ■ウエハー直径：100mm＆150mm ■ウエハー厚さ：300-525μm ■最大の直径：40μm（最小サイドにおいて） ■最小ピッチ：90μm（ビア幅の3倍） ■ポリ抵抗率：<5mΩ-cm ■隔離抵抗値：オキサイドライナーによる（デザインによる依存性） ■酸化膜厚：0.2-2μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。