プラズマ・サーモ・ジャパンの製品・サービス一覧

当社では、半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置を 取り扱っております。 電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでの ダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■ダイ、パッケージダイ、200mmウェーハのプロセス可能 ■蓄積されたプロセスノウハウは、オーバーエッチングを防止 ■フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 　取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ 　LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 　シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも 　ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

『故障解析用Corial Shuttlelineシリーズ』は、半導体ICの絶縁層だけ ではなくメタル層も選択的に除去可能な故障解析用装置であり、 フットプリントが小さく、費用対効果の高い故障解析システムです。 電気的な特性を維持するためにメタル層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、メタルエッチングを含む高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIEによる精度の高いエッチングプロセスを提供。 故障解析ソリューションは、最大200mmまでのダイ・パッケージダイ 及びフルウェーハを解析可能です。 【特長】 ■電気的な特性を維持するために金属層を侵食させることがない ■マルチレベルのデプロセッシングから、金属エッチングを含む 　高い選択比プロセス ■ウェットエッチングでは1日～5日間程度要する解析時間を 　1〜2時間で可能にする ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

当社で取り扱う「フォトマスクのRIEドライエッチング装置」をご紹介します。 フォトマスクのキャリアとして、「シャトル」を採用している為、ハードウエハを交換する事無く、「シャトル」の交換のみで様々なサイズのフォトマスクを処理する事が可能。 オープンロード、ロードロックタイプを揃えており、ロードロックタイプであれば、MoSi,Cr,Ta系のエッチングも1つのチャンバーで処理出来る事があります。 【特長】 ■コンパクト設計 ■プラズマクリーニングにより簡単にリアクター内のクリーニング可 ■リアクタターチャンバー内の汚染防止としてライナーを採用 ■差し込み式の為、取り外しが簡単 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。