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当社で取り扱う「フォトマスクのRIEドライエッチング装置」をご紹介します。 フォトマスクのキャリアとして、「シャトル」を採用している為、ハードウエハを交換する事無く、「シャトル」の交換のみで様々なサイズのフォトマスクを処理する事が可能。 オープンロード、ロードロックタイプを揃えており、ロードロックタイプであれば、MoSi,Cr,Ta系のエッチングも1つのチャンバーで処理出来る事があります。 【特長】 ■コンパクト設計 ■プラズマクリーニングにより簡単にリアクター内のクリーニング可 ■リアクタターチャンバー内の汚染防止としてライナーを採用 ■差し込み式の為、取り外しが簡単 ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
高密度ラジカルクリーニングプロセスは、繊細なデバイスや複雑な構造を 損傷することなく、フォトレジストやポリマーなどの残留物を、 完全に除去することが可能です。 さらに、医療用インプラント応用など精細な構造物に対しても リモートプラズマを用いた独自のプラズマソースにより、ウェットプロセスでは 完全な除去が不可能であった残留物の除去が可能。 また、高密度ラジカルフラックスによる複雑な形状の高温のみならず、 低温でのプロセッシングができます。 【特長】 ■広い温度範囲での柔軟な処理が可能 ■選択比及び均一性の高いプロセス ■複雑な形状のサンプルを完全にクリーニングする性能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『故障解析用Corial Shuttlelineシリーズ』は、半導体ICの絶縁層だけ ではなくメタル層も選択的に除去可能な故障解析用装置であり、 フットプリントが小さく、費用対効果の高い故障解析システムです。 電気的な特性を維持するためにメタル層を侵食させない、マルチレベルの デプロセッシングから、メタルエッチングを含む高い選択比で損傷のない プロセスまで、RIE、ICP-RIEによる精度の高いエッチングプロセスを提供。 故障解析ソリューションは、最大200mmまでのダイ・パッケージダイ 及びフルウェーハを解析可能です。 【特長】 ■電気的な特性を維持するために金属層を侵食させることがない ■マルチレベルのデプロセッシングから、金属エッチングを含む 高い選択比プロセス ■ウェットエッチングでは1日～5日間程度要する解析時間を 1〜2時間で可能にする ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
当社で取り扱っている、薄膜用PECVD・ドライエッチング装置 「SHUTTLELINE(R)」・バッチプロセス対応コンパクト300＆500シリーズ についてご紹介いたします。 成膜はPECVD。エッチングはRIE, ICP, ICP-RIE。 ユニークなウエハステージを使用することで、例えば2インチウエハであれば 1枚～最大27枚のバッチ処理可。 開発から量産までお使いいただけます。 【特長】 ■成膜装置PECVDは、チャンバーがコンパクト設計の上、自動クリーニングを 取り入れる事により、スループットを最大にする事が出来る ■エッチング装置は、運用コスト下げられるとの事で、多くのマイクロ LEDメーカーで採用 ■ウエハ片、フルウエハと多様なウエハサイズ・形状に対応 シャトルシステム(ウエハステージ)により、異なるサンプルサイズでも ハードウェアの変更が不要 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・ 故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に 多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。 企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな 装置が必要な方や、1台で成膜・エッチングとマルチに使用可能な 装置をお探しの方などにおすすめです。 【特長】 ■高精度でダメージフリーなエッチングプロセス ■ダイ,パッケージ化ダイ,ウェハ片およびフルウェハに多様なウェハサイズ・形状に対応 ■シャトルシステムにより、異なるサンプルサイズでもハードウェアの変更が不要 ■1台で成膜/エッチング装置とマルチに対応 ■世界中で採用実績があり、Plasma-Therm LLCのグローバルネットワークで現地サポート ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『HEATPULSE』は、サセプタ不要のSiCウェハアニールが可能な 高速加熱処理(RTP/RTA)装置です。 独自技術により高温プロセスも効率化。 パワーデバイス関連、およびその他の半導体業界、または高温高速 加熱処理が必要な方に好適な装置です。 【特長】 ■独自技術により、サセプタ無しでのSiCアニールを実現 ■パージ効率、昇温レートの向上により、約1.5倍の高スループット、 プロセスの柔軟性も向上(当社サセプタ使用装置と比較) ■新モデルでは2チャンバ構成に対応し、シングルからダブルチャンバへの 将来のアップグレードも可能 ■Plasma-Therm独自のユーザーフレンドリーな制御システム「Cortex」 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『Plasma POD シリーズ』は、小型でコンパクトな 卓上タイプエッチング・成膜装置です。 設置スペースに限りがあり、低コストでエッチング・成膜装置の 導入をご検討されている方にお勧め。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■装置最大サイズ 80cmx80cmx80cm(高さ） ■タッチパネルで簡単操作 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『QuaZar』は、大面積イオンソースと高度なモーションコントロールにより、 難しいエッチングプロセスや薄膜形成アプリケーションにおいて、 プロセス結果を実現できるエッチング・成膜装置です。 当製品のMarathon grids技術は、重要な要素となっており、現在お使いの 既存のシステムに設置する事も可能。 世界の多くのお客様が、grid技術で既存装置の性能を向上させ、寿命を 2倍以上に伸ばすことに成功しております。 【特長】 ■均一性<2% 3σ(200mmウエハ)、スキャニングモーションを 取り入れることにより<0.6% 3σも達成可 ■従来と比較しMTBMを2倍にしたIon Source、Marathon Grid、 Dual PBNは、他社の既存装置でも搭載可能 ■当社のPVD、CVD等とのクラスター可が可能 ■150mm、200mm ※詳しくはお気軽にお問い合わせください。
当社が取り扱うプラズマベースの原子層エッチング装置 『Takachi ALE』をご紹介します。 Takachiシステムは、ALEキットを搭載することにより、 ALEプロセスが可能です。 表面の単原子層毎にエッチングしていく為、エッチング対象物への ダメージを抑える事が出来ます。 【特長】 ■ALEキットを搭載、ALEプロセスが可能 ■表面の単原子層毎にエッチング ■エッチング対象物へのダメージを抑える事が可能 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社で取り扱う、『Takachi ICP Cryo』をご紹介いたします。 より異方性、高選択性が必要とされるエッチング工程で使用されます。 【特長】 ■温度範囲：-150℃～＋350℃ ■ウエハサイズ：2"～8" ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『200FA/200R/200I』は、半導体チップ及びウエハの不良解析装置です。 剥離処理により、不要箇所を除去し、不良原因箇所の解析をする事が 出来ます。 【特長】 ■選べる剥離技術(RIE、HCD、ICPRIE) ■サンプル形状柔軟性(ダイ、パッケージダイ、ウェーハフラグメント、 フルウェーハ) ■搬送の柔軟性(ダイレクトロード、プリロードシャトル、 ロードロック付きプリロードシャトル) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
『MDS-100/MDS-300』は、誘導結合方式を用いることで、高出力プラズマによる 安定性、均一性に優れた25枚連続処理が可能なプラズマダイシング装置です。 高い均一性を保ちながら、ソーやレーザのようなウェハへのダメージを 発生させずに処理を行うことが可能。 高速ガス切り替えシステムを用いたBosch法によって、優れた側壁形状および 自由な形状での加工を実現し、既存の手法と比較して優れたダイ強度を 提供いたします。 【特長】 ■ダイの品質/歩留まり/ダイ形状の自由度向上に優れた処理能力で貢献 ■複数サイズのウェハに対応(MDS-100：φ4"～8",MDS-300：φ8"～12") ■誘導結合プラズマを使用した、Bosch法によるダイシング ■高速ガス切り替えシステムにより、高速で安定したステップ切り替えを実現 ■パラメータのモーフィング及びその変動傾向を設定可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『KOBUS F.A.S.T.(R)』は、産業向けALDレベル膜質のプラズマ成膜装置です。 パルス機能を利用することで、ALD(Atomic LayerDeposition：原子層堆積)と 同等薄膜を従来のCVDと同じ処理時間で生成する事が可能。 プロセス温度は80℃～500℃でウエハサイズは150mm、200mm、成膜速度は 0.1nm/min～500nm/minとなっております。 【仕様】 ■プロセス温度：80℃～500℃ ■ウエハサイズ：150mm、200mm ■成膜速度：0.1nm/min～500nm/min ■アスペクト比 ・20：1 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
