DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【その他の特長】 ■ターゲット使用効率の向上(〜40％) ■高スループット(＞50 ウェーハ/hr) ■高精度な基板温度制御(±7℃) ■リアクティブスパッタリングが可能(O2/N2) ■基板バイアス機能(RF/DC) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■コンタクト層/バリア層/インターコネクト ■インクジェット応用(圧電薄膜) ■誘電体膜(セラミックターゲットまたは反応性スパッタリング用メタルターゲット) ■薄膜抵抗体：NiCr、NiO、SiCr、TaN、TaAlN ■透明導電膜：ITO、AZO、GZO ■バックサイドメタライゼーション(BGBM) ■アンダーバンプメタライゼーション(UBM) ■パワーデバイス応用(裏面電極成膜) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
企業情報
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、プラズマ技術を応用した半導体製造装置の販売およびサポートを行っています。 エッチング装置、成膜装置、プラズマダイシング（切断）装置をはじめ、ICP、RIE、DSE（Deep Silicon Etching）、IBE（イオンビームエッチング）、IBD（イオンビーム成膜）、PECVD、HDPCVD、HDRF、F.A.S.T.（ALDライク成膜）など、多彩なプロセスソリューションをご提供しています。 米国フロリダ州に本社を置くPlasma-Therm LLCは、1974年の設立以来、50年以上にわたりプラズマ技術を応用した半導体製造装置の開発・製造・販売を行ってきました。 半導体、MEMS、化合物半導体、先端パッケージング、研究開発用途から量産用途まで、お客様のプロセス要件に応じた最適なソリューションをご提案します。 装置選定、プロセス開発、デモ評価、保守・メンテナンスに関するご相談も承っております。ぜひお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社 Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en
