φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。 現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、 誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。 コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレンチのパターニング等、 様々なアプリケーションに対応。 【特長】 ■簡単なハードウェア交換で、プラズマCVD及びRIEとして使用可能 ■業界標準と比較して約30%小さいフットプリント ■感覚的に理解が容易なグラフィックインターフェイスで操作が簡単 ■ご要望に応じて、特殊仕様にも対応可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【仕様】 ■ICP-CVD成膜装置 及び ICP-RIEドライエッチャー ■-20℃～150℃(オプションにより変更可能) ■クーポンタイプから最大φ200mmフルウェーハまで対応 ■2”ウェハ7枚、3”ウェハ3枚等のバッチ処理も可能 ■ガス配管：標準8ライン(オプションにより最大11ライン) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■ドライエッチング、及び成膜を必要するさまざまな製品の開発
企業情報
プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社は、プラズマ技術を応用した半導体製造装置の販売およびサポートを行っています。 エッチング装置、成膜装置、プラズマダイシング（切断）装置をはじめ、ICP、RIE、DSE（Deep Silicon Etching）、IBE（イオンビームエッチング）、IBD（イオンビーム成膜）、PECVD、HDPCVD、HDRF、F.A.S.T.（ALDライク成膜）など、多彩なプロセスソリューションをご提供しています。 米国フロリダ州に本社を置くPlasma-Therm LLCは、1974年の設立以来、50年以上にわたりプラズマ技術を応用した半導体製造装置の開発・製造・販売を行ってきました。 半導体、MEMS、化合物半導体、先端パッケージング、研究開発用途から量産用途まで、お客様のプロセス要件に応じた最適なソリューションをご提案します。 装置選定、プロセス開発、デモ評価、保守・メンテナンスに関するご相談も承っております。ぜひお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社 Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en
