プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
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基本情報
PD-220LCは、各種シリコン系薄膜（Si3N4、SiO2等）を形成するための量産型プラズマCVD装置です。トレーカセット方式、真空カセット室を採用し、φ4インチウエハー月間3000枚の高スループットを実現しています。本装置では、化合物半導体プロセスでのパッシベーション膜や層間絶縁膜などの均一性とステップカバレージに優れた形成が可能です。
価格情報
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納期
用途／実績例
● パッシベーション膜としてのシリコン窒化膜の形成 ● 層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜の形成 ● アニールキャップ膜の形成
企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。
