試験・分析・測定

一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

設立昭和５９年８月１日（１９８４年）
住所東京都世田谷区喜多見1-18-6
電話03-3749-2525
最終更新日：
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【分析事例】LSI・メモリ

【分析事例】LSI・メモリ

LSI・メモリの分析事例をご紹介します

【分析事例】分子動力学計算によるGa含有プリカーサーの蒸気圧計算

ALD、CVDのプリカーサーに用いられる金属錯体の蒸気圧予測に有効！

ALD（原子層堆積法）は高アスペクト比の構造に対しても原子層レベルで均一な成膜が可能なため、 半導体の微細化・複合化・細線化に有用な方法として着目されています。 成長表面における「原料（プリカーサー）の吸着飽和を利用した気相プロセスによる成膜方法であるため、 基板へのプリカーサーの被覆率、成膜レートを向上させるためには、 高い蒸気圧を持ったプリカーサーが求められています。 本資料では分子動力学計算により種々のGa含有プリカーサーの蒸気圧を予測し、実験値と比較しました。

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【分析事例】真空装置内の汚染分析

オイルバックやグリースなど真空装置内の汚染原因を評価可能！

空間内の気体分子密度が低いという特徴を利用した真空装置は、 電子部品の製造工程における薄膜形成や表面分析など様々な用途で使用されます。 真空装置のチャンバーは閉ざされた空間のため、 微量の分子の存在が装置内の汚染を引き起こしやすく、汚染を抑制するために、 ポンプ・装置・試料など汚染源を特定する調査が必要です。 本資料では、真空装置内の汚染についてTOF-SIMSで調査した事例を紹介します。

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