研究開発分野向け、各種薄膜実験装置・コンポーネントを紹介します。 【nano Benchtopシリーズ】 ハイパフォーマンス！nano Benchtopシリーズ薄膜実験装置 コンパクトサイズに、高機能・ハイスペックな薄膜装置を収納 【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】 多彩な装置構成、必要なコンポーネントを要求仕様に合わせて組み合わせ構成する「フレキシブル実験装置」

Max2900℃(カーボン炉）、Max2400℃（メタル炉） ・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。

◉ 卓上サイズ 省スペース：328(W) x 220(D) x 250(H)mm（*2inch用チャンバー参考値） ◉ カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉ 昇温時間最速約15分（1500℃）、降温1500℃→100℃まで約40分（真空、およびガス置換雰囲気） ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ シンプルな構成、優れた操作性 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉 大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉 【用途】 ◉ 半導体・太陽電池・燃料電池・電子基板等の熱処理 ◉ 基礎実験：縦型管状炉・酸化拡散炉・LPCVD等の簡易熱処理実験

研究開発分野向け、各種実験装置を紹介します。 ◉ Mini-BENCH 超高温卓上型実験炉 Max2000℃ ◉ Mini-BENCH-prism セミオート式 超高温実験炉 Max2000℃ ◉ MiniLab-WCF 超高温ウエハー焼成炉 Max2000℃ その他、特注で研究開発用高温炉を設計製作致します。 他

高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子

ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）

半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ：Φ2〜6inch 真空（UHV対応可能）・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。（詳細別途協議）

ご要望の仕様にて都度製作致します。 さまざまな用途に応用できる高真空中での円筒状加熱ユニットです。 円筒状加熱範囲内に、試料を入れた坩堝の加熱、金属・セラミック・ワイヤー状サンプルの加熱、など目的に応じてカスタムメイド致します。

◉ グラフェン, カーボンナノチューブ ◉ ZnOナノワイヤ ◉ SiO2等の絶縁膜など その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに対応

【フレキシブルシステム】 MiniLab薄膜実験装置シリーズは、豊富なオプションから必要な成膜方法・材料に応じて都度、ご要望に適したコンポーネント（成膜ソース、ステージなど）、制御モジュールを組み込み、カスタマイズ品でありながら無駄の無いコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で装置を構成することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 MiniLabシリーズは、研究開発から小規模生産用途まで幅広く対応するハイコストパフォーマンスシステムです。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（MiniLab-125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。

必要最小限のモジュール・コントローラをPlug&Play感覚で19"コンパクトラックに組込む事により無駄が無く、小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3源）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大4、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、プラズマエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ 最大基板サイズ：Φ6inch ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4源） ◉ 有機蒸着ソース：1cc or 5cc ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3源） ◉ ドライエッチング ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 2源同時成膜、HiPIMS、自動薄膜コントローラ、特注基板ホルダ、基板回転/昇降、基板加熱などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着源 x 最大4 ・有機蒸着源 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。