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【SH 高温基板ヒーター】PVD, CVD用 Max1100℃

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SH-IN series, SH-BN series

最終更新日:2024年10月12日

テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
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CVD, PVD(蒸着, スパッタ等)均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN(インコネルプレート):φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN(BNプレート, Moカバー):φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃(SH-BN), 850℃(SH-IN) ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期(標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く)

    CVD装置アニール炉その他半導体製造装置
SH-series-Substrate-Heaters_550.jpg

【SH 高温基板ヒーター】PVD, CVD用 Max1100℃

SH-series-Substrate-Heaters_550.jpg
SH-series-Substrate-Heaters_550.jpg SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ.jpg Custom heater-2.jpg BN-1.6inch-heater-with-bracket.jpg SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例.jpg Custom heater-4.jpg Custom heater-7.jpg SH-IN-2.2inch-600℃昇温中.jpg SH-2.2inch-rotation-stage.jpg Target-Carousel.jpg
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  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/thermocera/product/

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基本情報

大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr(SH-IN型), W/BNコンポジット(SH-BN型) ◎ 最高使用温度 ・850℃(SH-IN型), 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch(*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ) ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN:真空(1x10-7Torr), 不活性ガス, H2, He, CH4, C(*O2不可) ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ(JIS, ICF, ISO) ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini

価格情報

-

納期

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※仕様により納期が異なります、当社へお問い合わせ下さい。

用途/実績例

半導体・電子部品基板基礎技術開発分野でのCVD, PVD(PLD, ALD, 蒸着, スパッタリング)などの薄膜実験、物性研究、材料分析などの研究開発用途に最適、又、生産用途装置での活用も可能です。

詳細情報

  • SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ.jpg

    SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ

  • Custom

    SH-IN-1.6inch custom heater Inconel 1.6inch heater right angled CF114 flange

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    SH-BN-1.6inch heater with bracket SH-BN-1.6inch heater with bracket

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    SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例 SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例

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    SH-IN-2.2inch customer heater CF203 flange, Heater quarter faced

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    SH-IN-1.6inch-600℃昇温中 SH-IN-1.6inch-600℃昇温中

  • SH-2.2inch-rotation-stage.jpg

    SH-IN-2.2inch-R【基板回転機構】 SH-IN-2.2inch-rotation stage CF114 base flange

  • Target-Carousel.jpg

    【ターゲット・カルーセル】基板ヒーターオプション 【PLD (Pulsed Laser Deposition) システム用自動ターゲット回転機構】 ・ターゲットサイズ:1inch or 2inch ・ターゲット数:最大3個まで ・接続フランジ:8inch (ICF203) ・自公転:ターゲット選択(公転)、ターゲット回転(自転) ・19inchラックマウント式専用コントローラー

ラインアップ(12)

型番 概要
SH-IN-1.0inch 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-1.6inch 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-2.2inch 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-3.1inch 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-4.1inch 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-IN-6.1inch 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He, O2
SH-BN-1.0inch 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-1.6inch 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-2.2inch 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-3.1inch 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-4.1inch 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He
SH-BN-6.1inch 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ BNプレート(Moカバー付き) 使用雰囲気:真空(1x10-7Torr〜760Torr), Ar, N2, H2, CH4, He

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実験炉・ヒーター_「PRODUCTS GUIDE_2025」

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【SH 高温 基板加熱ヒーター】(Inc/BNプレート Max1100℃)PVD CVD 真空薄膜用 高温 プレートヒーター

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BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃

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【Mini-BENCH 】超高温卓上型実験炉 Max2000℃

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【マグネトロンスパッタリングカソード】

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【nanoPVD-S10A】RF/DCマグネトロンスパッタリング装置

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◆nanoPVD-T15A◆ 高性能 有機膜・金属膜蒸着装置

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スパッタ・蒸着ソース混在 複合型成膜装置【nanoPVD-ST15A】

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【nanoCVD-8G/8N】グラフェン/CNT合成装置

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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】

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ウエハースケール グラフェン合成装置【nanoCVD-WGP】

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グローブボックス薄膜実験装置【MiniLab-026/090-GB】

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この製品に関するニュース(60)

MiniLab-S070A薄膜実験装置

4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】

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Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

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MiniLab-LT26A 小型真空蒸着装置

★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆

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モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3元)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大2、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます(*要仕様協議)。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード(最大3元) ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式(最大4極 コントローラで自動切替) ◉ 有機蒸着セル:1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能(オプション 要仕様協議) ◉ その他オプション: 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

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モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ(最大3元)もしくは抵抗加熱蒸着(金属源 最大2、有機材料x4)に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます(*要仕様協議)。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード(最大3元) ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式(最大4元 コントローラで自動切替) ◉ 有機蒸着セル:1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能(オプション 要仕様協議) ◉ その他オプション: 同時成膜、HiPIMS、デポレート・膜厚レート制御、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。

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MiniLab-070薄膜実験装置

多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】

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Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜:3元同時成膜(RF150W or DC780W)+ HiPIMS(PulseDC 5KW) x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統(Ar, O2, N2)反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W(メインチャンバー) + <30Wソフトエッチング(LLチャンバー) 基板加熱:Max500℃, 800℃, 又は1000℃(C/C、又はSiCコート) 基板回転・上下昇降(ステッピングモーター自動制御) APC自動制御:アップストリーム(MFC流量調整)又はダウンストリーム(排気側バルブ自動開度調整) デポレート・膜厚レート制御 寸法:1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。

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