超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント
半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ:Φ2〜6inch 真空(UHV対応可能)・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。(詳細別途協議)
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基本情報
◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ ステージ上下昇降(基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式) ◉ 基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加(逆スパッタ) ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択: グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター ◉ 各種真空フランジ接続:ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C, R熱電対付属 ◉ その他オプション:温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー
価格情報
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納期
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用途/実績例
【用途】 CVD/PVD(真空蒸着/スパッタリング装置)、各種高温アニール用途、など 【実例】 ・TCVD. PECVD. スパッタ等の成膜装置 ・既存薄膜装置加熱ステージの高温化, 上下/回転/バイアス機構の増設改造 ・新規プロセス評価機、試作機への搭載
詳細情報
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4inch hot stage max1200C with bias 4inch hot stage max1200℃ RF bias事例
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4inch hot stage with water cooling 4inch hot stage水冷ハウジング付き設置事例 Max1200℃グラファイトエレメント インコネルウエハーホルダー
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大気側Z軸駆動モーター 大気側Z軸駆動モーター(50mmストローク例) RFバイアス
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2inch hot stage NiCr element max1000C with bias 2inch hot stage NiCr element max1000C with bias Inconel wafer holder
カタログ(37)
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企業情報
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。