GaN　Gallium nitride

GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）は、シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っており、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。 SiCとの比較では、熱伝導率がSiCの方が約3倍高く、それ以外の物性データ（バンドギャップ、電子移動度、絶縁破壊電圧、飽和ドリフト速度）は全てGaNの方が10%程度勝っております。 よって、高温動作環境では、SiCに分が有りますが、電力変換容量、動作周波数の高い領域での使用におきましては、GaNの方が有利と言えます。