SiC　Silicon carbide

SiC（炭化ケイ素，シリコンカーバイド）は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍（3.26eV）広く、熱伝導率も3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 SiCパワー半導体素子の特徴は、 　1.小さなオン抵抗 　2.短いスイッチング時間 　3.高温動作 であり、パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に適しております。 また、これら半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。