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極薄 無電解Ni/Pd/Auプロセスの開発

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最終更新日:2025年08月28日

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Ni層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・はんだ接合性を評価!

近年、電子機器の小型化・高機能化に伴い、高密度プリント配線板に 半導体を実装したCSPやBGAなどのパッケージ基板が多く使われています。 従来、パッケージ基板にワイヤボンディング性及びはんだ接合性を確保 するため、最終表面処理として無電解Ni/Auめっきや無電解Ni/Pd/Auめっきが 採用されています。 しかし、両めっき皮膜において、Ni層の標準的な厚みは5μmと厚く、 銅配線間距離(ピッチ)が10μm以下の場合、パターン追従性・絶縁信頼性の 確保が困難になることが予測されます。 この問題の解決方法として、従来の接合信頼性を維持しつつNi層を 薄化する事が挙げられます。 本研究ではNi層薄化時のENIG・ENEPIGプロセスにおけるワイヤボンディング性・ はんだ接合性を評価した結果、およびNi層薄化時の接合信頼性を改善する 新プロセスについて検討した結果を紹介します。 ※事例の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

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極薄 無電解Ni/Pd/Auプロセスの開発

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設立から今日まで、不良ゼロの実現を目指す現場の声に応えるために、信頼性試験・不良解析・再現実験と同時に、現場改善などの問題に取り組んでまいりました。 また、従来の基板や実装問題だけにとどまらず、現在では製品全般の品質保証、工場内部の検査工程や海外部品調達をはじめ、国内外の工場調査・工場改善までトータルにサポートしております。 私たちクオルテックが目指すのは、お客様にとって最良のビジネスパートナーになることです。

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