パワーデバイス故障箇所・Slice＆View 三次元再構築

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■解決する力 　知識と技術でかいけつに導くコンサルティング 　スピード対応でお客様スケジュールを支援 ■つきとめる力 　故障個所をピンポイントし可視化する技能 　深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術 ■特化した設備 　最高180℃での液槽熱衝撃試験 　パワー半導体に必須のパワーサイクル試験

• ダイオード
• トランジスタ

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 　各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 　予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し 　リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能

• トランジスタ
• 分析機器・装置
• 受託解析

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法： クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。

• 電子顕微鏡
• 受託解析
• その他受託サービス

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます！

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 受託解析
• 解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 半導体検査/試験装置
• 受託解析
• 解析サービス

ソフトマテリアルの断面作製も実現！Auto Slice＆Viewで3D再構築も可能です！

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定！ 今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。 パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の 断面観察・分析を高スループットで実現。 最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、 FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が 可能です。 【Helios 5 UCの主な特長】 ■高速・大面積FIB加工 ■低加速仕上げによるダメージ層低減 ■Cryo-FIB加工 ■3Dイメージング ■TEM試料加工の完全自動化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 分析機器・装置

特徴： ●Intel Core Ultra 5 225H/ Ultra7 255H・265H搭載 ●LPDDR5 6400 16GB/ 32GB/ 64GB オンボード ●最大4画面同時表示 ●M.2 2280 M-Key x 2 ●M.2 3052 B-Key x 1 (5G対応) ●M.2 2230 E-Key x 1 (Wi-Fi/BT対応) ●2.5GbE x 1、GbE x 1 ●USB 3.2 Gen 2 (Type A x 2、Type C x 1) ●TPM 2.0オンボード ●DC 9-36V入力 (DCジャック) ●ファン付きヒートシンク付属 ●コミュニティサイトで技術サポート　 https://forum.up-community.org/?utm_source=up-board_homepage&utm_medium=web&utm_campaign=community_upboard_nav ※ストレージ、OSは別売となります

特徴： ●Intel processor N150/N250/Core i3-N355搭載 ●LPDDR5 6400 8GB オンボード ●eMMC 64GBオンボード ●2.5GbE x 2 ●USB 3.2 Gen 2 (Type A x 2、Type C x 1) ●DP 1.2 x 1、DP 1.4 x 1、HDMI x 1 ●RS-232/422/485 x 2 ●M.2 2280 M-Key x 2 ●M.2 3052 B-Key x 1 (5G対応) ●M.2 2230 E-Key x 1 (Wi-Fi/BT対応) ●TPM 2.0オンボード ●DC 12V/6A入力 (DCジャック) ●動作温度-20~70℃ ●ヒートシンク付属 ●コミュニティサイトで技術サポート　 https://forum.up-community.org/?utm_source=up-board_homepage&utm_medium=web&utm_campaign=community_upboard_nav ※OSは別売となります

特徴： ●Intel processor N100/N97搭載 ●LPDDR5 6400 4/8/16GB オンボード ●eMMC 32/64/128GBオンボード ●GbE x 2 ●USB 3.2 Gen 2 x3 ●DP 1.2 x 1、HDMI x 1、eDP 1.3 x 1 ●RS-232/422/485 x 2 ●M.2 2280 M-Key x 2 ●M.2 2230 E-Key x 1 ●TPM 2.0オンボード ●DC 12V/5A入力 (DCジャック) ●コミュニティサイトで技術サポート　 https://forum.up-community.org/?utm_source=up-board_homepage&utm_medium=web&utm_campaign=community_upboard_nav ※OSは別売となります

JOHNAN株式会社は、ROV（水中ドローン）ソリューションに、新たに「ROVソリューション（投下・揚収）」のページを追加しました。 このページでは、ROVの投下・揚収における基本的な手順と注意点をわかりやすく解説しています。作業前の準備から安全確認、適切な機材の選定、作業者の健康管理まで、安全かつ効率的な運用に不可欠なポイントをまとめています。ぜひご覧ください。

三和クリエーションの極小径超硬放電加工電極です 放電加工用の電極ですが銅や銅タンではなく超硬合金製となります より細い穴をまっすぐあける際に硬度が高い超硬合金の電極が採用されるケースがあります ■材質：超硬合金　　　　　　　　　　■規格：最小径φ0.01から 　　　■段研長：2ｍｍ ■外径精度：±0.001ｍｍ 　■表面粗さ：Ra0.2µｍ ■軸寸法φ2ｘ50L（標準） ※寸法はオーダーメードで製作承ります。お気軽にご相談ください。