水銀プローブにより電極の形成が不要！R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ） ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【主な測定・評価項目】 ■化膜中の電荷の評価（VFB） ■界面準位測定（Dit） ■エピ層の抵抗率測定（ρ） ■低ドースイオン注入の部分的ドース量の評価（PID） ■ライフタイム測定（τｇ） ■高／低誘電材料の誘電率測定（ε） ■絶縁膜の信頼性試験（TZDB、TDDB） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
Semilabは、世界の最先端技術の研究、製造をサポートする総合測定装置メーカーです。 半導体ウェハーからデバイスの検査に、非接触CV測定装置、ライフタイム測定装置、分光エリプソメーター、フォトルミネッセンス、DLTSシステム、シート抵抗測定装置、ナノインデンター、AFMなどを取り扱いしています。 装置の仕様や価格などお気軽にお問合せ下さい。
