高温下で高圧電界を発生させデバイスの誤動作を評価するGLテスタ、AEC-Q100-006 REV-Cに準拠
高温下にあるICに高電界を加えると、ICのカタログ仕様に不適合の項目が発生する場合(例えばIcc、入力リーク、ACパラメータ、ファンクション特性)があります。これを電気熱誘導寄生ゲートリーク(GL)と言います。GLが発生したデバイスは"不良"とみなされますが、GL不良は通常125℃ 4時間(または150℃ 2時間)のベーキングで回復します。 本装置は、高温下で電界を発生させる装置で、AEC-Q100-006 REV-Cに準拠するGL試験を行います。手動試験のモデル 6900Mと、自動試験のモデル 6900Aがあります。 ※製品の仕様は予告なく変更になる場合がございます。ご了承下さい。
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基本情報
・高電圧電源 : 最大20KV ・デジタル電圧計 : 高圧プローブ ・針先 : タングステン加工 ・サーマルチャンバー : 125℃又は150℃ ・温度コントロール : リモート制御 ※製品の仕様は予告なく変更になる場合がございます。ご了承下さい。
価格帯
100万円 ~ 500万円
納期
用途/実績例
・AEC-Q100-006 REV-Cの要求試験
企業情報
弊社は1977年に設立以来、多くの有力企業の半導体、電子部品の開発に貢献してきました。高速・高圧技術を始めとした静電気に関するノウハウをベースに、アナログ信号を高精度に計測・解析する各種製品およびシステムの製造、販売を行なっています。