エッチングやスパッタ、成膜プロセス中のイオンエネルギーの測定ができます。
検出プローブは電極/基板ホルダーに取付け可能なので、実プロセスと同条件でプラズマの最適化が行えます。各種のバイアス条件(フローティング、DC、パルスDC、RF)下で測定ができます。 プラズマ放電中のプロセス内で以下の測定が可能です。 - イオンエネルギー分布 - イオンフラックス - イオンカレント - エレクトロンフラックスとエネルギー
この製品へのお問い合わせ
基本情報
・検出プローブは電極/基板ホルダーに取付けできます。 ・300 ミリトール以内の圧力下で、500 eV までのエネルギーの測定が可能です。 ・500 kHz までのパルスシステムの時間分解測定を44 ns のステップ分解能で検出できます。 ・検出プローブはポータブル式で、複数の チャンバーへ容易に取付けができます。 ・各種のバイアス条件で測定ができます。(シングル、デュアル、マルチの周波数) - フローティング - DC - パルスDC - RF
価格帯
納期
用途／実績例
・プラズマプロセスの開発 ・プラズマプロセスの診断 ・エッチング、CVDの開発ツール ・マグネトロンスパッタリングやHiPIMSの薄膜成膜プロセスの開発
企業情報
マツボーは【産機・情報】【粉体】の2つの事業分野と【テクニカルセンター】のバックアップ体制でサービスを提供しています。機械の専門商社の枠にとらわれず、導入に先立ってのコンサルティングから、設置・ローカライズにかかわるエンジニアリング、導入後のメンテナンスや改善・改造提案まで、お客様に安心してお使いいただくための一貫したサービス体制を整えています。
