豊富なプロセスレシピを持ちながらも非常に小型な原子層堆積装置
コンパクトな卓上型ALD。 半導体デバイス、有機太陽電池、ナノワイヤー、量子ドットなどへの成膜により、表面保護や改質など様々なデバイス開発にご使用いただけます。 プロセスはALD・CVDの材料開発拠点で開発されたもの。 順次レシピを増やしてゆき、新規のプロセス開発も承っております。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
設置面積：48x48cm 基板サイズ： 最大4インチ プレカーサー材料：５系統 方式：ホットウォール型熱式 チャンバー温度：最高350℃ プロセスレシピの例：Al2O3, SiO2, TiO2, HfO2, ZrO2, Pt, Ru カスタマーレシピ作成モードもあります インターロックと安全機構付き
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
※13週間
用途／実績例
半導体デバイス、太陽電池（有機、ペロブスカイト、ナノワイヤー）、光学デバイス、燃料電池、Liイオン電池、ウルトラキャパシター、MEMS、量子ドット、ナノパーティクルへの表面コーティングなど
企業情報
半導体製造装置を中心とした技術商社。