複雑な形状の基板への成膜に最適で、低温成膜で樹脂基板にも対応します。またガスバリア性に優れた薄膜が得られます。
ALD（Atomic Layer Deposition）とは原子層堆積法という単原子層を1サイクルで成膜する手法で、サイクルを繰り返すことにより薄膜を形成します。 一原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能となり、高品質かつ段差被覆性の高い薄膜を形成する事が可能です。 【特徴】 ○複雑な形状の基板への成膜に最適 ○低温成膜で樹脂基板にも対応 ○ガスバリア性に優れた薄膜が得られる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
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基本情報
【特徴】 ○単原子層ずつ成膜するため、膜厚制御性に優れている ○高アスペクト比の基板に対しても付き回りよく成膜することが可能 ○基板温度を抑え成膜することが可能 ○基板面内分布に優れている 【仕様】 ○φ4インチ基板、25枚一括処理 ○基板回転機構 ○基板加熱温度：25～120℃ 【対応膜種】 ○SiO2 ○TiO2 ○Al2O3 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
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納期
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用途／実績例
【用途】 ○LED（色度調整，Ag 硫化防止膜） ○電子デバイス（絶縁膜，バリアメタル） ○ガスバリア膜，水蒸気バリア膜 ○複雑な形状の基板への成膜 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
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この製品に関するニュース（1）
企業情報
株式会社昭和真空は、真空中で特定の基板に薄膜を形成させる装置を主とした、真空蒸着装置やスパッタリング装置等の真空技術応用装置（真空装置）を製造販売しております。
