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粉体の全周にコーティングが可能な装置です 新しい成膜方法をお考えの方は ぜひ当社へご相談ください！
本ウエハトリミング装置はφ4インチもしくはφ6インチウエハに対して収束させたイオンビームを照射することで、ウエハ表面の凹凸をσ=1.0nm以下まで平坦化できるため、精密加工に貢献します。
本装置は大型の製品にスパッタ・重合成膜が可能にもかかわらずハイサイクル稼働を実現したバッチ式の装置です。製品の品質や歩留まりを上げたい生産現 場に貢献します。
新しく開発された射出成形機連動型高速スパッタ・重合システムSPP-SERIESは、自動車・装飾部品などで用いられる樹脂基板への金属膜、保護膜の自動成膜が可能です。射出成形された基板を全自動で真空成膜（スパッタリング及び重合）することが可能です。 【対象製品】 ◆自動車ヘッドランプリフレクター ◆ミラー ◆金属装飾膜 ※詳しくはお問い合わせいただくか、PDFをダウンロードしてご覧ください。
本装置はΦ4～Φ6インチウェハーに対しデスカム・表面改質・アッシング処理が可能です。また、自動搬送機構を付属しておりウェハー割れ防止や、ウェハー移載にかかる作業時間コストの削減に貢献します。さらに、プロセス室はウェハー2枚同時処理により高いスループットを実現しています。 装置本体サイズがW1,400mm×D2,000mmとコンパクトな設計となっています。
新しく開発された射出成形機連動型高速スパッタ・重合システムSPP-SERIESは、自動車・装飾部品などで用いられる樹脂基板への金属膜、保護膜の自動成膜が可能です。 射出成形された基板を全自動で真空成膜（スパッタリング及び重合）することが可能です。 【特徴】 ○全自動 ○サイクルタイム： 80sec（Al：100nm＋SiOx：20nm） ○高い密着度 →アンダーコート無しでも高密着力が得られる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ALD（Atomic Layer Deposition）とは原子層堆積法という単原子層を1サイクルで成膜する手法で、サイクルを繰り返すことにより薄膜を形成します。 一原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能となり、高品質かつ段差被覆性の高い薄膜を形成する事が可能です。 【特徴】 ○複雑な形状の基板への成膜に最適 ○低温成膜で樹脂基板にも対応 ○ガスバリア性に優れた薄膜が得られる 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
光学薄膜用蒸着装置 「SGC-S1700シリーズ」は、Sapio 1300 のテクノロジーを盛り込みつつコストパフォーマンスに磨きをかけたAR コート専用 スタンダードマシンです。 ＲＦイオンソース、光学モニター、反転パレットなど多彩な仕様選択が可能です。 【特徴】 ○量産性能と作業効率を高次元で融合 ○設置スペースは1300クラスのたった２割増 ○製品の取数は2倍以上 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
昭和真空は、約15年の実績を誇るベストセラー装置SPH-2500のフルモデルチェンジを行いました。 ロードロック方式スパッタリング装置 「SPH-2500-II」は、従来装置の特徴を受け継ぎつつ最新のテクノロジーを採用し、あらゆる面で従来機を超える性能を達成致しました。 【特徴】 ○外形：W1200×D2500×H1440設置面積はそのままに大幅に低背化を実現 ○カソードを改良することによりターゲット使用効率が４４％まで大幅にUP ○ラック＆ピニオン方式を採用しローラーの滑りなどによる搬送不具合を解消 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
SIA-400Tは、工具・刃物・金型等への「表面硬化膜」及び、「装飾膜」に最適なホロカソードタイプを、さらにバージョンアップしたアーク放電タイプ（蒸発源表面上にアーク放電を発生させ、溶解・蒸着・イオン化という過程を経て膜形成）を採用した装置です。 【特徴】 ○ムダを極力少なくし、処理量の確保をはかった ○1バッチごとの蒸発源の補給が不要 ○基板取付けを容易にした担当者にやさしい装置 ○本装置で成膜したTiNの密着強度70N以上 ○蒸発源をかえればほとんどの金属の成膜が可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
広範囲で安定した放電を可能にし、光学フィルターのノンシフト膜から樹脂基板への密着性改善まで様々な用途でご使用いただけます。 放電性能においては独自のアプローチにより確実な着火と安定した放電が可能です。 【特徴】 ○ビーム電流 1500mA / ビーム電圧 1500V / イオン電流密度100μA/cm2以上の高出力イオンソース ○イオン電流密度分布±10％以下（1300、1550装置にて）の均一性をハイパワーで達成 →Sapio-1300 での測定結果。株式会社昭和真空指定条件に限る ○ニュートラライザーにオートマッチャーを採用し、 確実な着火性能と安定化を図った ○新開発コレクター電極（特許出願中）の採用により、 エミッション電流2500mAの大出力を可能にした →チャージアップによるパーティクル発生を予防する 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
高真空アニール装置 「SAF-52T-II」は、主に水晶振動子などの加工時に生ずる内部応力の歪みの除去、電極膜の安定化のための熱処理を行うことを目的として開発された装置です。 W460×D350×H35mm の加熱棚が左右計10段、170×134mmの標準トレーを最大60枚収納可能です。 【特徴】 ○独立して稼動可能な処理室を2室有している ○生産の効率化、サイクルタイムの短縮が図れる ○効率的なサイクルタイム/全自動による省力化 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
オイルレベルゲージでは、オイル量、汚れを一目で確認できます。またメンテナンスについては早めのオイル交換を実施いただくだけで十分。作業効率もUPします。 【特徴】 ○オイル加熱ヒーターには内熱式シースヒーターを採用し、省電力化を実現 ○ジェットの改良により、排気性能が大幅に向上 ○ポンプの立ち上げ時間を短縮 ○直接水冷式コールドキャップをバッフルに内蔵したことにより 水冷式でもオイルバックを抑制することが可能となった 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
インライン式周波数調整装置 「SFE-X2012」は、処理室と取出室を別にし、イオンソースもＨ／Ｌを各々搭載したことで、アイドルタイムの少ない効率的な動作が可能になりました。 ＳＦＥ‐Ｂ０３に搭載したＩＧＦ－２０１型 １００ｍｍビームのイオンソースを２基搭載しています。 イオンソース１台あたり最大２４個、計４８個同時処理が可能です。 ＳＦＥ－Ｂ０３で実績のある高精度・高安定・高再現性の搬送機構を本装置にも採用しております。 今までインラインでは困難であった小型ワーク(2.0×1.6、1.6×1.2）の周波数調整も、安定して量産できます。 ユニット毎に各機器の分解が可能で、メンテナンス性を考慮した設計となっています。 【装置性能】 ○タクトタイム ：０．３ｓｅｃ/ｐｃ以下 ※１８MHz以上のワーク、１列２４個以上の場合 ○調整精度 ：±１．５ｐｐｍ以下 ○処理数 ：最大２４列(ｐ４．０)×３２列 ○生産量 ：12000pcs /時間 以上 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
イオンプレーティング装置 「SIP-1600」は樹脂基板へ金属膜を成膜する装置です。 同一バッチで2種類の材料が成膜可能です。 内部治具及び台車が2式付属しており高い生産性を有します。 イオンプレーティング機構により、付き回りよく成膜できます。 【特徴】 ○ワークの大きさにより、6軸もしくは8軸の自公転治具が搭載可能 ○抵抗加熱蒸発源は切替電極（2式）を搭載している ○イオンプレーティング機構が付属している ○治具台車を2式標準装備している ○冷凍機の搭載によりH2Oに対する排気スピードが向上している 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
ロードロック式周波数調整装置 「SFE-B03-II」は、省スペース・高精度・低価格、タクトタイム0.4 s/pcs以下を実現しました。（※SMD3.2 × 2.5, 24 MHz, H1000 ppm/s, L50 ppm/s の場合） 新型イオンガン (ビーム幅: 100 mm) 搭載で、標準24～32個同時処理が可能となりました。 高精度・高安定・高再現性の搬送機構により、2.0 × 1.6以下の微小ワークも安定して生産できます。 FLモード (負荷容量自動演算モード) を搭載しています。 イオンガン本体、コンタクト機構のメンテナンス性が大幅向上しました。 ２室ロードロック方式を採用することで、処理室は常時真空に保持されているので、タクトタイムが真空排気及び大気開放の時間に依存しません。 オプションユニットとしてオーバードライブ機構付ローダー・アンローダー装置装着により、連続運転が可能となりました。 【特徴】 ○コンパクト設計 ○高精度 ○低価格 ○高安定性 ○高再現性 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
