OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。 ・配線やビア内のボイド・析出物の位置を特定可能。 ・コンタクトの抵抗異常を特定可能。 ・配線ショート箇所を特定可能。 ・DC電流経路を可視化。 ・ゲート酸化膜微小リークを捉えることが可能。
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基本情報
１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。 ２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。 ３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。
価格情報
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納期
用途／実績例
・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ） ・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど） ・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど） ・MEMS（圧力センサ・加速度センサ）
詳細情報
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企業情報
MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください！ MSTは、あなたの「困った！」を解決へと導きます。