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高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

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最終更新日:2023年03月24日

三星ダイヤモンド工業株式会社
三星ダイヤモンド工業株式会社
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産性向上を実現。従来工法と比較して小フットプリント化.

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増加、タクトタイムの短縮が生産性の向上に繋がるほか、水を使用しないため環境に優しく、生産コストの削減が可能です。 【MDI独自技術SnB(スクライブ&ブレーク)の特徴】 ■高周波デバイスやパワーデバイスに対して、安定高速切断加工が可能! ■高精度・高品質な切断加工でストリート幅削減&小サイズ対応が可能! ■さまざまな半導体/電子部品の加工に対応! ■多層構造の複合材料にも対応! 長年培ったノウハウと理論化したシミュレーションで最適な加工方法をご提案します。 ※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。

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高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

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基本情報

■半導体デバイス精密切断装置 【製品特長】  DSシリーズ(スクライバー)   基板厚み :100um-350um     リングサイズ:8~12inch  DBシリーズ(ブレーカー)   基板厚み :100um-350um   リングサイズ:8~12inch  DLシリーズ(スクライブ&ブレークインラインマシーン)   基板厚み :100um-350um   リングサイズ:8~12inch  DRシリーズ(リマウンターマシーン・フィルム張り替え機)   基板厚み :100um-350um   リングサイズ:8~12inch ■MDIのオリジナルツール 長寿命を実現します。独自技術で開発した半導体デバイス用ツールはSiC(難削材)のスクライブ距離は長寿命を確保します。 ※詳細はカタログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。 また、様々なデバイス(素材)を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど

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さまざまな半導体/電子部品の切断加工に対応します。 ※詳しくはカタログをご覧ください

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カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

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基板切断加工事例(スクライブ&ブレイク工法)

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 三星ダイヤモンド工業は、スクライビング、ブレイキング、穴あけ、パターニングなどの加工方法を、オリジナル刃先やレーザー発振器による最適なプロセス条件と、それを高い生産性で実現できる自動装置を提供している加工装置メーカーです。  1935 年の創業以来培ってきた「様々なガラスに対する高品質カッティング技術」を駆使し、「あらゆる硬脆性材料と、さらには金属、有機物を含む多層構造」に対応可能な加工プロセスおよび装置・工具を、お客様に提供しています。  理論と実績に裏付けられたソリューションで、お客様にとって頼れる「オンリーワン・パートナー」を目指しています。お気軽にお問合せください。

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