ＮＭＰ非含有のレジスト剥離液。バンプ形成時の厚膜レジスト剥離にも好適！
一般的なアミン系剥離液よりも剥離能力が高く、アルカリ現像タイプのネガレジストや厚膜のドライフィルムレジストに適用が可能です。 また、各種金属材料に対してダメージが小さく、Al-Cu電極のリフトオフプロセスにも適用が可能です。 さらに、Alドライエッチング後の残渣除去液としても使用が可能です。 【特徴】 ■従来のアミン系剥離液では剥離困難なイオンインプラント後のレジストやドライフィルムレジストも剥離できます。 ■ヒドロキシルアミン、NMPを含みません。 ■IPAリンスは不要のため、水リンスのみで使用が可能です。 ※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
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＜適用分野・使用用途例＞ ＊イメージセンサー、メモリー、ロジックデバイス、化合物半導体、MEMS、電子部品、FPDなど ＊高ドーズイオンインプラント後のレジスト剥離、SAP/MSAPのドライフィルムレジスト剥離、三次元実装（TSV）パターン形成時のレジスト剥離、Alドライエッチング後の残渣除去など
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企業情報
私達は先端規格をクリアするだけでなく、それ以上の水準の高純度試薬を開発・製造するオンリーワンメーカーであることを目指してきました。 また、試薬だけでなく、半導体製造プロセス用の超高純度薬品の規格も、世界に先駆け私達が制定し、現在では世界中の半導体産業に不可欠な機能性薬品においてトップシェアを獲得しています。
