テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能
プリンテッド・エレクトロニクス関連で、絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長 375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径 2μm（@405nm）10μm 22μm 30μm 等。分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi 等 感光性レジストの全般（半導体露光用レジスト各種、ポリイミドレジスト、感光性Ａｇ）に対応可能。 有機ＴＦＴのゲート絶縁膜、感光性Ａｇインク 等で電極形成。 インクジェット／フレキソ／スクリーン 等の工法で困難なパターン形状の作成が、容易に可能です
この製品へのお問い合わせ
基本情報
テレセントリックｆθレンズによるレーザ露光のため、走査幅全域においてビーム形状が同じで高精度な描画が可能。 直描装置本体部をコンパクトなサイズに納めましたので、省スペースで多品種小ロットの高精細露光に最適です。 ［基本仕様］下記以外の走査幅（テレセンｆθレンズ）にも特注で対応可能型 式 LSU-1002LSU-6010 LSU-12522 LSU-25030 レーザ波長 375，405，650，780，830nm；355，488，532nm レーザスポット径（@レーザ波長405nm） 2μm 10μm 22μm 30μmレーザ走査幅 10mm 60mm 125mm 250mm データ分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi ～1,500dpiデータフォーマット ビットマップ（BMP） フォーカスユニット（マニュアル操作） Zステージ ［選択オプション］ フォーカス確認ユニット、繰り返し露光機能、基準穴位置調整機能、エアーチャックテーブル
価格情報
お気軽に問い合わせください
価格帯
1000万円 ~ 5000万円
納期
用途／実績例
プリンテッド・エレクトロニクス関連のパターン形成をマスクレスで実現する装置です。絶縁膜のパターン形成や金属パターン形成、ＭＥＭＳ形状のバンク・隔壁形成に、ポジレジスト・ネガレジストをマスクレスで直接露光する「レーザ露光機」です。ｈ線、ｉ線 波長なども対応可能です。 テレセントリックｆθレンズとポリゴンミラーによる「ラスタースキャン型レーザ露光」で走査幅全域において高精度ビーム形状描画が可能。h線・i線を含む、レーザ波長 375，405，650，780，830nmなど選択可能。レーザスポット径 2μm（@405nm）10μm 22μm 30μm 等。分解能 ～25,400dpi ～5,080dpi ～3,000dpi 等
カタログ（2）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
株式会社ワイ・ドライブは、ペロブスカイト太陽電池・LFPリチウム電池・ゼオライト触媒をインクジェット技術で実現する工法を開発・追究する会社です。インクジェット工法、マイクロ・ナノ成型工法、印刷工法による電子デバイスの製作、微細2D・3D印刷配線／構造体製作（数μm以下スケールでの構造体製作）のほか、各種電子回路基板の開発も受託しております。各種画像処理ソフト（カメラ系・３Dセンサー系）、FPGA設計、電子制御系ソフトウェア開発、組込電子機器開発 等も受託しています。
