加工時間の短縮に成功！ディッシングを極限まで低減することが可能に
当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。 通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して 10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを 適用しているため短時間に処理を終えることができます。 当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により 超高精度且つ低価格を実現しております。 【特長】 ■加工時間を短縮 ■加工精度の向上にも寄与 ■超高速Cu CMPプロセス ■ディッシングを極限まで低減 ■超高精度且つ低価格を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【プロセス一例】 ＜Si貫通孔Cu plug形成にダマシンプロセスを適用したケース＞ 1.厚膜によるスループット低下 2.長い加工時間による面内均一性の悪化 3.厚膜が起因した数百μmオーダーの基板反り 4.様々な配線・バリア・絶縁材料を用いた困難な構造 5.貫通孔構造に起因した基板強度の低下 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
MEMSデバイス及び、TSV等の様々な構造が検討される中、次世代デバイスのCMPプロセスに対応すべく適切なCMPスラリーを自社開発し、お客様のニーズに適応したCMP受託加工を行っている。数枚の試作から数万枚に至る量産加工のみならず、テクニカルトランスファー(CMPプロセス移管)も行っている。