ご要望のイオン種や深さ、濃度に合わせてシミュレーションが可能です。
お客様のご要望「ご希望の深さと濃度にするにはエネルギーと注入量をどれくらいにすればよいのか」や「ご指定のエネルギーと注入量でドーパントのイオンはどのような深さ分布となるか」に対して、シミュレーションをご提供することが可能です。 （イオン注入のご依頼を前提としたサービスです）
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基本情報
イオン注入シミュレーション ・シングルプロファイル 深さ、濃度から注入条件を計算 ・ボックスプロファイル 多段注入条件の計算 その他のシミュレーション ・熱処理後の拡散 熱処理前後でのプロファイル計算 ・多層構造の計算 SiO2等の膜厚最適化 ただし、シミュレーションは注入後のプロファイルや濃度を保証するものではごさいません。
価格情報
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納期
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用途／実績例
半導体へのイオン注入では国内企業様、大学様に多くご利用頂いております。
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企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。
