古くて新しい、未だ大量に使用されている「ノボラックレジスト」を初詳説
半導体,液晶デバイスは,リソグラフィー工程を複数回繰り返すことで製造される。この数十回の繰り返し工程中で,最先端の微細パターンが必要とされるのは,ゲート工程などわずかであり,大部分は線幅の太いパターンが使用されることである。この太いパターンにノボラックレジストが使用されているのである。もちろんデバイスによっては,ここにKrF(248 nm)用化学増幅型レジストが使用される場合もある。 よって,半導体デバイスにおいて,線幅の太い工程は,すべてではないにしろいまだにノボラックレジストは使用されており,しかも結構な量が使用されている。 また,中国等の新興国における半導体デバイス製造では,旧世代のデバイスを製造しており,当然ここではノボラックレジストが使用されている。 さらに液晶製造では,すべての工程(5工程)でノボラックレジストが使用されている。工程数についてはハーフトーンマスクの使用により4工程のデバイスメーカもあるようである。高感度・高解像のレジストである化学増幅型レジストの導入も検討もされているようであるが,基板サイズが半導体に比較しけた違いに大きく,使用環境の制御が難しいため実用化には至っていない。
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基本情報
2020年1月14日発刊 A4判 並製 191頁 <br> ＜著者＞ 堀邊英夫 / 大阪市立大学 田中初幸 / メルクパフォーマンスマテリアルズ(株) 花畑誠 / 大阪市立大学 客員教授 山本雅史 / 香川高等専門学校 関口淳 / 立命館大学 客員教授 虎谷秀一 / (株)東レリサーチセンター 望月則宏 / (株)東レリサーチセンター 萬尚樹 / (株)東レリサーチセンター
価格情報
45,000円 別途消費税 ※CD-R付きは55,000円＋消費税
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
~ 1週間
用途／実績例
＜もくじ＞ 第1章 はじめに 第2章 g線ノボラックレジストの概要 第3章 i線ノボラックレジストの概要 第4章 ノボラックレジストの材料開発 第1節 分子量分布の影響 第2節 感光剤量の影響 第3節 プリベーク温度の影響 第4節 現像温度の影響 第5節 分子量分布のタンデム構造と高解像化(1) 第6節 分子量分布のタンデム構造と高解像化(2) 第5章 ノボラックレジストの分析技術 第1節 ノボラック系ポジ型レジストの有機組成分析 第2節 GPC法による分子量分布測定 第3節 レジスト膜の分析 第4節 リソグラフィ・シミュレーションを利用したノボラックレジストの分析 第6章 レジスト剥離技術 第7章 ノボラックレジストの応用とトラブルシューティング 第8章 最後に
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