Equipped with various film deposition, oxide layer, annealing
PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing.
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基本情報
Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form electrode film Heat treatment ・ RTA (Rapid thermal annealing) Heat treatment up to 1800 degrees is possible by vertical high-frequency induction heating ・ Oxidation furnace Oxidation, heat treatment
価格情報
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納期
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用途／実績例
We support many universities, institutes and corporates.
企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。
