有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜します
『AD-230LP』は、原子レベルの膜厚制御が可能なALD装置です。 有機金属原料および酸化剤を交互に反応室に供給し、表面反応のみで成膜。 ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に 優れた成膜が可能です。 また、容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化 しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化します。 【特長】 ■上部、中部、底部とコンフォーマルな成膜 ■原子一層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能 ■高アスペクト比構造へのコンフォーマルな成膜が可能 ■面内均一性と再現性に優れ、安定したプロセスを実現 ■独自の反応室構造により、パーティクルを抑制 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【その他特長】 ■熱ALDとカソードCVDによる二層成膜により、優れた特性を持つゲート絶縁膜を形成 ■容量結合プラズマ(CCP)方式を採用することで、反応室容積を最小化しており、ガスのパージ時間を短縮し、1サイクルを高速化 ■ロードロック室を有し、反応室を大気開放することがないため、再現性に優れた成膜が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【応用例】 ■窒化膜(AlN、SiN)の成膜、酸化膜(AlOx、SiO2)の低温成膜 ■電子デバイスのゲート絶縁膜 ■半導体・有機EL等のパッシベーション膜 ■半導体レーザーの反射面 ■MEMSなど3次元構造への成膜 など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
企業情報
ナノレベル~マイクロレベルの薄膜形成および加工の技術に優れ、研究開発用途から生産用途までの装置・技術提供に定評があります。加えまして、今後の市場拡大が見込まれております光源(LED・半導体レーザ)などのオプトエレクトロニクス分野に特化しております。