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1MビットFeRAM「MB85RS1MT」

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MB85RS1MT

最終更新日:2024年06月07日

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
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ウェアラブルデバイスの小型化・薄型化を実現する低消費電力の不揮発性メモリ

MB85RS1MTは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAMを導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。 ■主な仕様 ・製品名: MB85RS1MT ・メモリ容量(構成): 1Mビット(128K x 8ビット) ・インタフェース: SPI (Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧: 1.8V~3.6V ・書込み/読出し保証回数: 10兆回 ・データ保持特性: 10年(+85℃) ・パッケージ: 8ピンWL-CSP、8ピンSOP

    メモリ
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1MビットFeRAM「MB85RS1MT」

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  • 関連リンク - https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/documents/pro…
  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/fujitsu-group-fsm/produc…

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基本情報

1MビットFeRAM「MB85RS1MT」製品の8ピンのウェハーレベル・チップサイズパッケージ(以下、WL-CSP)は、従来の8ピン SOPパッケージ(以下、SOP)と比べ、実装面積が約23%、薄さが約5分の1とSPIインタフェースの1MビットFeRAMとしては業界最小クラスとなる小型サイズです。 WL-CSPのFeRAMは、ウェアラブルデバイス向けに最適なメモリです。アプリケーション本体のボディサイズの小型・薄型化に寄与するとともに、書込み時の消費電力量が極めて少ないFeRAMは、バッテリー寿命の延長に貢献します。

価格帯

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納期

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用途/実績例

■ウェアラブルデバイス向けに最適なメモリ FeRAMの特長のひとつが、「低消費電力」です。同じ不揮発性メモリの汎用EEPROMと比較すると、データの書込み時間が短いため、書込み時の消費電力量を大幅に減らすことができます。したがって、リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAMを導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。

詳細情報

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    MB85RS1MTのWL-CSPは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。

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    FeRAMの特長のひとつが、「低消費電力」です。同じ不揮発性メモリの汎用EEPROMと比較すると、データの書込み時間が短いため、書込み時の消費電力量を大幅に減らすことができます。

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強誘電体メモリ「FeRAM商談事例」 ※使われているアプリケーションなどを紹介!

強誘電体メモリ「FeRAM商談事例」 ※使われているアプリケーションなどを紹介!

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強誘電体メモリ「FeRAMの基礎編」 ※FeRAMとはなどを解説!

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企業情報

RAMXEED株式会社

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)

電子部品・半導体

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当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

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